[发明专利]多层超导制品、超导线圈、致动器、马达、平台设备和光刻设备在审

专利信息
申请号: 202080046848.1 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN114026707A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: G·G·A·德格西姆;R·F·M·M·哈梅林克 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H01L39/14 分类号: H01L39/14;H02K41/03;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 超导 制品 线圈 致动器 马达 平台 设备 光刻
【说明书】:

发明提供一种在纵向方向(LD)上延伸的多层超导制品(600),所述制品包括:‑在所述纵向方向上延伸的衬底层(610);‑在所述纵向方向上延伸的超导层(620);‑在所述纵向方向上延伸的另一层(630);其中,所述衬底层或所述另一层包括在所述纵向方向上和在横向方向上延伸的一个或更多个冷却突出部。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月27日提交的欧洲申请19182977.9的优先权,并且所述欧洲申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及多层超导制品,诸如:带、超导线圈、致动器、马达、平台设备和光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程持续进步,数十年来,在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加,这遵循着通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律,半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上被图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4至20mm范围内的波长,例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

为了将期望的图案投影到所述衬底上,通常将图案形成装置相对于辐射束移位,以便产生图案化辐射束。同时,所述衬底相对于图案化辐射束移位,以便将所述图案接收到所述衬底上的辐射敏感材料上。为了实现所需的位移,所述图案形成装置和所述衬底通常被安装在载物台上,所述载物台通常通过多个致动器和马达(诸如电磁致动器和电磁马达)而被移位和定位。为了改善光刻设备的性能,特别是所述设备的生产量,持续需要较强大的马达和致动器以用于所述图案形成装置和衬底的移位和定位。为了满足此需求,可以考虑使用超导马达。为了维持这些马达呈超导状态,被应用于这些马达的所述超导线圈需要被维持于临界温度以下。为了做到这一点,需要有效地消除所述线圈中发生的任何损耗。将期望改进已知的超导线圈或马达的冷却能力。

发明内容

为了改善已知的超导线圈或马达的冷却能力,根据本发明的第一方面,提供了一种在纵向方向上延伸的多层超导制品,包括:

-在所述纵向方向上延伸的衬底层;

-在所述纵向方向上延伸的超导层;

-在所述纵向方向上延伸的另一层;

其中,所述衬底层或所述另一层包括在所述纵向方向上和在横向方向上延伸的一个或更多个冷却突出部。

根据本发明的第二方面,提供了一种超导线圈,包括由超导带制成的多个绕组,所述超导线圈还包括被布置在所述多个绕组的相邻绕组之间的空间中的一个或更多个插入件,所述一个或更多个插入件具有比所述超导带的宽度更大的宽度。

根据本发明的又一方面,提供了一种包括根据本发明的超导线圈的致动器或马达。

根据本发明的又一方面,提供了一种包括根据本发明的致动器或马达的平台设备。

根据本发明的又一方面,提供了一种包括根据本发明的平台设备的光刻设备。

附图说明

现在将仅作为示例参考随附示意性附图来描述本发明的实施例,在所述附图中:

-图1描绘光刻设备的示意性概略图;

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