[发明专利]计算机设备和制造计算机设备的方法在审
申请号: | 202080045264.2 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN114008777A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | S.费利克斯 | 申请(专利权)人: | 图核有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/64;H01L23/498;H01L23/50;H01L49/02;H05K1/02;H05K1/03;H05K1/18;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡琪 |
地址: | 英国布*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 计算机 设备 制造 方法 | ||
1.一种计算机结构,包括:
第一硅基底,其中形成被配置为执行计算操作的计算机电路,第一基底具有自支撑深度和面向表面;
第二硅基底,其中形成多个分布式电容单元,第二基底具有与第一基底的面向表面重叠定位的面向表面,并且经由一组连接器连接到第一基底,所述一组连接器沿所述面向表面之间的结构的深度方向延伸,第二硅基底的面向表面具有与第一硅基底的面向表面的平面表面尺寸匹配的平面表面尺寸;
第二基底具有外表面,在所述外表面上布置有用于将计算机结构连接到电源电压的多个连接器端子,其中,第二基底具有比第一基底小的深度。
2.根据权利要求1所述的计算机结构,其中,第一基底和第二基底的面向表面通过一个或多个键合层键合。
3.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,连接器包括穿过第二硅基底延伸到第一硅基底的硅通孔,以在连接器端子和第一硅基底之间提供电连接。
4.根据权利要求1所述的计算机结构,其中,每个分布式电容器单元包括预定数量的电容器块,每个电容器块具有0.1nF至1.5nF范围内的电容。
5.根据权利要求4所述的计算机结构,其中,所述预定数量在10和20之间。
6.根据权利要求4或5中任一项所述的计算机结构,其中,每个分布式电容单元具有5nF至30nF范围内的电容。
7.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,所述分布式电容单元的总平面面积是第一硅基底的总平面面积的至少80%,所述多个分布式电容单元的电容在0.5μF/mm2至3μF/mm2的范围内。
8.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,第一硅基底具有400μm至1000μm的深度。
9.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,第二硅基底具有非自支撑深度,所述深度小于10μm。
10.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,所述分布式电容器单元以规则阵列布置,每个分布式电容器单元连接到电源电压连接器端子和接地连接器端子。
11.根据权利要求10所述的计算机结构,其中,每个连接器端子连接到四个不同的分布式电容单元。
12.根据前述权利要求中任一项所述的计算机结构,其中,所述一组连接器在与所述连接器端子轴向对齐的第一硅基底和第二硅基底之间提供连接。
13.根据权利要求4所述的计算机结构,其中,每个分布式电容单元包括两个禁布区,所述禁布区位于相应连接器端子的位置,所述禁布区和电容器块具有相同的大小。
14.根据前述权利要求4或5中任一项所述的计算机结构,其中,每个电容器块包括以六边形阵列布置的沟槽电容器阵列,其中,每个沟槽电容器具有六个相邻的沟槽电容器,每个沟槽电容器与其每个相邻的沟槽电容器等距定位。
15.根据权利要求3和13所述的计算机结构,其中,所述硅通孔设置在所述分布式电容器单元的禁布区。
16.根据权利要求1所述的计算机结构,其中,所述计算机电路包括多个处理单元,每个处理单元具有执行单元和本地存储器,所述多个处理单元被配置为并行计算。
17.根据权利要求16所述的计算机结构,其中,所述计算机电路包括同步电路,所述同步电路被配置为控制所述多个处理单元根据批量同步并行协议进行操作。
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