[发明专利]以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法

权利要求书

1.一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：

将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的氮化硅(SiN)基的介电膜；以及

使所述氮化硅(SiN)基的介电膜在所述处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量的等离子体，其中

所述含氦高能量低剂量等离子体中的多个氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，并且

所述含氦高能量低剂量等离子体中的所述氦离子的通量密度在5×10¹⁵个离子/cm²·秒与1.37×10¹⁶个离子/cm²·秒之间。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氮化硅(SiN)基的介电膜包括S-H键。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氮化硅(SiN)基的介电膜包括N-H键。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述氮化硅(SiN)基的介电膜暴露于所述含氦高能量低剂量等离子体期间，所述基板处于在10℃与200℃之间的温度下。

5.如权利要求1所述的方法，其中在所述氮化硅(SiN)基的介电膜暴露于所述高密度等离子体期间，所述基板处于在15毫托与300毫托之间的压力下。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板由选自金属、半导体和塑料所组成的群组的材料所制成。

7.一种对在基板的表面上形成的硅基膜进行后处理的方法，包括：

将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的硅基膜；以及

使所述硅基膜在所述处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量的等离子体，其中

所述含氦高能量低剂量等离子体中的多个氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，并且

所述含氦高能量低剂量等离子体中的所述氦离子的通量密度在5×10¹⁵个离子/cm²·秒与1.37×10¹⁶个离子/cm²·秒之间。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括氮化硅(SiN)。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括S-H键。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括N-H键。

11.如权利要求7所述的方法，其中在所述硅基膜暴露于所述含氦高能量低剂量等离子体期间，所述基板处于在10℃与200℃之间的温度下。

12.如权利要求7所述的方法，其中在所述硅基膜暴露于所述高密度等离子体期间，所述基板处于在15毫托与300毫托之间的压力下。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述基板由选自金属、半导体和塑料所组成的群组的材料所制成。

14.一种在基板的表面上形成和后处理氮化硅(SiN)基的介电膜的方法，所述方法包括：

将介电前驱物传送到设置在第腔室的处理区域中的基板上，所述介电前驱物包括硅和氮；

在所述第一腔室的所述处理区域中提供自由基通量；以及

在第二腔室中将输送的所述介电前驱物暴露于含氦的高能量低剂量等离子体，其中

所述含氦高能量低剂量等离子体中的多个氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，并且

所述含氦高能量低剂量等离子体中的所述氦离子的通量密度在5×10¹⁵个离子/cm²·秒与1.37×10¹⁶个离子/cm²·秒之间。