[发明专利]附着物除去方法及成膜方法

说明书

提供附着物除去方法及成膜方法，能够将附着于腔室的内表面或连接于腔室的配管的内表面的含有硒的附着物以不将腔室拆开的方式进行除去。通过使附着于腔室(10)的内表面及连接于腔室(10)的排气用配管(15)的内表面中的至少一方的含有硒的附着物与含有含氢化合物气体的清洁气体进行反应来除去该附着物。

技术领域

本发明涉及附着物除去方法及成膜方法。

背景技术

近年来，在半导体领域中，含有硅(Si)以外的元素的半导体材料受到了关注。作为含有硅以外的元素的半导体材料，例如可举出含有锗(Ge)、砷化铟镓(InGaAs)等III-V族元素的半导体材料、含有金属硫属化合物的半导体材料。

这些半导体材料虽然具有与硅材料相比、移动性(移动度)高这一优点，但存在成膜困难的情况、材料之间的界面处的缺陷密度变高的情况。

于是，为了降低材料之间的界面处的缺陷密度，提出了一种在锗、钼等的基板上使用硒化氢(H₂Se)气体来形成钝化膜的方法(例如参照专利文献1)。另外，作为金属硫属化合物的成膜方法，提出了利用自由基化了的硒化氢气体对钼氧化物层、钨氧化物层进行处理而形成硒化钼层、硒化钨层的方法(例如参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国专利公开公报2016年第207789号

专利文献2：日本国专利公开公报2017年第61743号

专利文献3：日本国专利公开公报2011年第66450号

发明内容

发明所要解决的课题

在降低材料之间的界面处的缺陷密度的上述方法中，由于在高温下进行反应，所以有时会在进行该反应的腔室的内表面、配置于腔室的下游侧的配管的内表面附着含有因硒化氢的分解而生成的硒的附着物。

若在腔室的内表面、配置于腔室的下游侧的配管的内表面附着了含有硒的附着物的状态下，将晶片等基板向腔室内导入，则在使腔室内成为真空并利用惰性气体进行了置换时，硒的颗粒可能会向晶片等基板附着。并且，若硒的颗粒向基板附着，则所制造的半导体构造的性能可能会下降。

例如在专利文献3中公开了使用等离子体蚀刻装置对包含硒的硫属化合物半导体膜进行蚀刻的技术。在该技术中，由于来源于蚀刻生成物的硒向腔室的内表面附着，所以通过基于包含三氯化硼(BCl₃)和氯气(Cl₂)的清洁气体的等离子体清洁来将该附着的硒除去。

在专利文献3所公开的技术中，使硒与氯气反应而将硒除去，但作为反应生成物的氯化硒根据硒的氧化数是固体状，因此，存在向等离子体蚀刻装置内的其它的部位再附着、向配置于等离子体蚀刻装置的下游侧的配管再附着这一问题。因此，在腔室的内表面、配置于腔室的下游侧的配管的内表面附着了含有氯化硒的附着物的情况下，需要将腔室拆开来进行清洗。

本发明的课题在于，提供一种能够将附着于腔室的内表面或连接于腔室的配管的内表面的、含有硒的附着物以不将腔室拆开的方式除去的附着物除去方法及成膜方法。

用于解决课题的技术方案

为了解决所述课题，本发明的一方案如以下的[1]～[6]。

[1]一种附着物除去方法，通过使附着于腔室的内表面及连接于所述腔室的配管的内表面中的至少一方的、含有硒的附着物与含有含氢化合物气体的清洁气体进行反应来除去该附着物。

[2]根据[1]所述的附着物除去方法，在温度20℃以上且800℃以下、压力20Pa以上且101kPa以下的条件下，使所述清洁气体与所述附着物接触。