[发明专利]无溶剂的钙钛矿沉积方法在审

专利信息
申请号: 202080038466.4 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN113874541A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: M·D·埃尔文;M·希金斯;D·W·米勒 申请(专利权)人: 亨特钙钛矿技术有限责任公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/30;C23C16/40;C30B29/22
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李跃龙
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 溶剂 钙钛矿 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种无溶剂的钙钛矿沉积方法,包括:

将铅靶和基材加载到沉积腔室中;

将沉积腔室中的压力降低到小于或等于5×10-6乇;

蒸发该铅靶;

用盐前体的蒸气回填沉积腔室;和

在基材上沉积钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其中:

通过将电子束施加到铅靶进行蒸发;

铅靶包含碘化铅(II);

盐前体包含选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的盐。

3.根据权利要求1所述的方法,其中:

通过将电子束施加到铅靶来进行蒸发;

盐前体包含选自甲脒鎓、甲基胺及其组合的盐;和

该方法还包括用碘化氢蒸气回填沉积腔室。

4.根据权利要求1所述的方法,其中以的速率制备沉积物的首先20nm。

5.根据权利要求1所述的方法,其中:

通过将电子束施加到铅靶进行蒸发;

盐前体包含碘化氢;和

该方法还包括:

将薄膜转移到热蒸发器;和

沉积选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的第二盐前体。

6.根据权利要求1所述的方法,其中:

通过将阴极弧施加到铅靶来进行蒸发;

将腔室中的压力降低到10-8至10-12乇的范围;

盐前体包含碘化氢;和

该方法还包括:

将薄膜转移到热蒸发器;和

沉积选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的第二盐前体。

7.根据权利要求1所述的方法,其中:

通过将脉冲激光施加到铅靶进行蒸发;

将腔室中的压力降低到10-8至10-12乇的范围;

盐前体包含选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的盐。

8.根据权利要求1所述的方法,其中以2-100sccm的速率进行回填。

9.无溶剂的钙钛矿沉积方法,包括:

将铅粉末样品加载到坩埚中;

将基材面朝下放置在坩埚中的粉末上方;

将沉积腔室中的压力降低到200毫乇;

升华铅粉末样品;

在基材上制备第一沉积物。

10.根据权利要求9所述的方法,其中:

铅粉末样品包含碘化铅(II);

该方法还包括在制备第一沉积物之前用盐前体的蒸气回填沉积腔室,所述盐前体包含选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的盐;和

其中第一沉积物是钙钛矿材料。

11.根据权利要求10所述的方法,其中以的速率制备沉积物的首先20nm。

12.根据权利要求9所述的方法,还包括:

在制造首先沉积物之后,用碘化氢蒸气和甲脒鎓或甲基胺中的一者或两者回填沉积腔室;

在基材上制备第二沉积物,第二沉积物钙钛矿材料。

13.根据权利要求9所述的方法,其中:

铅粉末样品包含碘化铅(II);和

该方法还包括:

用盐前体粉末替换坩埚中的剩余铅粉末样品,所述盐前体包含选自碘化甲脒鎓、甲基碘化铵及其组合的盐;

升华盐前体;

在基材上制备第二沉积物,第二沉积物钙钛矿材料。

14.根据权利要求13所述的方法,其中以的速率制备沉积物的首先20nm。

15.根据权利要求10所述的方法,其中以2-100sccm范围内的速率进行回填。

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