[发明专利]光学隔离器在审
| 申请号: | 202080038402.4 | 申请日: | 2020-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN114174902A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | A·斯科菲尔德;G·伯德;A·J·齐尔基 | 申请(专利权)人: | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 董婕;李啸 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 隔离器 | ||
1.一种在硅光子集成电路上的光学隔离器,所述光学隔离器包括:
偏振器分束器;
偏振旋转器;以及
法拉第旋转器;
其中所述法拉第旋转器包括:
用于提供磁场的一个或多个磁体;以及
硅螺旋延迟线,所述硅螺旋延迟线由硅波导形成,所述硅波导被整形为没有内置移相器的螺旋区域和在所述螺旋区域内的中心区域,所述中心区域具有总共不超过180度的移相器。
2.如权利要求1所述的光学隔离器,其中所述一个或多个磁体包括两个U形磁体,所述两个U形磁体成相对关系定位以在其相应端之间产生所述磁场。
3.如权利要求1或权利要求2所述的光学隔离器,其中所述中心区域包括两个弯曲部,每个弯曲部包括90度移相器。
4.如前述权利要求中任一项所述的光学隔离器,其中所述硅螺旋延迟线的所述螺旋区域的每一圈具有由四个直的部分和四个弯曲的拐角形成的矩形形状。
5.如权利要求1所述的光学隔离器,其中所述一个或多个磁体被定位,使得所述磁场的场线遵照所述螺旋区域内的所述波导的路径。
6.如权利要求5所述的光学隔离器,其中所述硅螺旋延迟线的所述螺旋区域的每一圈具有由四个直的部分和四个弯曲的拐角形成的矩形形状,并且其中所述一个或多个磁体包括四个磁体,每个磁体位于所述矩形形状的拐角处。
7.如权利要求5或权利要求6所述的光学隔离器,其中所述中心区域不包括移相器。
8. 如前述权利要求中任一项所述的光学隔离器,其中所述硅螺旋延迟线由3 µm硅波导形成。
9.如前述权利要求中任一项所述的光学隔离器,其中所述偏振旋转器是45度偏振旋转器。
10.如前述权利要求中任一项所述的光学隔离器,所述光学隔离器包括额外的偏振分束器。
11.如权利要求10所述的光学隔离器,其中所述偏振分束器位于所述法拉第旋转器的输入侧处,并且所述额外偏振分束器位于所述法拉第旋转器的输出侧处。
12. 一种用于在硅波导平台中使用的法拉第旋转器,所述法拉第旋转器包括:
用于提供磁场的一个或多个磁体;以及
硅螺旋延迟线,所述硅螺旋延迟线由硅波导形成,所述硅波导被整形为没有内置移相器的螺旋区域和在所述螺旋区域内的中心区域,所述中心区域具有总共不超过180度的移相器。
13.如权利要求12所述的法拉第旋转器,其中所述一个或多个磁体包括两个U形磁体,所述两个U形磁体成相对关系定位以在其相应端之间产生所述磁场。
14.如权利要求12或权利要求13所述的法拉第旋转器,其中所述中心区域包括两个弯曲部,每个弯曲部包括90度移相器。
15.如权利要求12至14中任一项所述的法拉第旋转器,其中所述硅螺旋延迟线的所述螺旋区域的每一圈具有由四个直的部分和四个弯曲的拐角形成的矩形形状。
16.如权利要求12所述的法拉第旋转器,其中所述一个或多个磁体被定位,使得所述磁场的场线遵照所述螺旋区域内的所述波导的路径。
17.如权利要求12所述的法拉第旋转器,其中所述硅螺旋延迟线的所述螺旋区域的每一圈具有由四个直的部分和四个弯曲的拐角形成的矩形形状,并且其中所述一个或多个磁体包括四个磁体,每个磁体位于所述矩形形状的拐角处。
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