[发明专利]电流检测装置

说明书

本发明的电流检测装置的磁屏蔽部(3u、3v)中形成有弯曲部(30u、30v)，使得在形成开口部(5u)的端部(6u)附近，随着接近端部(6u)，开口部(5u)的开口面积逐渐变大。当着眼于U相和其相邻相V相时，由于在V相导体(Bv)中流过的电流的影响，磁场(Bvu)从V相向U相输入到磁屏蔽部(3u)，但磁场(Bvu)被弯曲部(30u、30v)所引导，并集中到磁屏蔽部(3u)的开口部(5u)的端部(6u)。即，由于弯曲部(30u、30v)之间的空隙较窄，因此局部磁阻变小，磁通能集中在弯曲部(30u、30v)，并且能减少流入磁屏蔽部(3u)内部的磁通。因此，磁检测元件(2u)不容易受到来自相邻相的磁场的影响。

技术领域

本发明涉及电流检测装置。

背景技术

存在一种电流检测装置，该电流检测装置设置在导体附近，检测根据流过导体的电流产生的磁场，并检测流过导体的电流量。电流检测装置例如分别设置在从用于将直流转换为三相交流的逆变器导出的三相导体的附近。

专利文献1公开了一种电流传感器，其包括：流过电流的导电部；检测部，用于检测由流过导电部的电流产生的磁场；以及包围导电部和检测部的屏蔽件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2017-181415号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1中记载的技术存在着受到流过相邻导体的电流的影响从而电流检测精度变差的问题。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的电流检测装置包括：第一电流检测元件；第二电流检测元件；第一屏蔽部，该第一屏蔽部形成用于收纳第一导体的一部分和所述第一电流检测元件的第一收纳空间，并且形成使所述第一收纳空间和外部连通的第一开口部；以及第二屏蔽部，该第二屏蔽部与所述第一屏蔽部相邻，形成用于收纳第二导体的一部分和所述第二电流检测元件的第二收纳空间，并且形成使所述第二收纳空间和外部连通的第二开口部，所述第一屏蔽部形成为在形成所述第一开口部的端部附近，随着接近所述端部，所述第一开口部的开口面积逐渐变大，所述第二屏蔽部形成为在形成所述第二开口部的端部附近，随着接近所述端部，所述第二开口部的开口面积逐渐变大。

发明效果

根据本发明，通过抑制流过相邻导体的电流的影响，能减小电流检测精度变差。

附图说明

图1是电流检测装置的立体图。

图2是电流检测装置的剖视图。

图3的(A)(B)是表示不同形状的磁屏蔽部对来自外部的磁场的影响的图。

图4的(A)(B)是表示不同形状的磁屏蔽部对来自相邻相的磁场的影响的图。

具体实施方式

图1是本实施方式的电流检测装置100的立体图。

在本实施方式中，电流检测装置100以非接触方式检测在U相、V相、W相导体Bu、Bv和Bw中沿着图示的三个正交方向(X轴、Y轴和Z轴方向)中的Z轴方向流过的电流的值。

电流检测装置100在图示的三个正交方向(X轴、Y轴和Z轴方向)中的X轴方向上并排地设置U相电流检测装置100u、V相电流检测装置100v和W相电流检测装置100w而构成。

电流检测装置100u以非接触方式检测在U相导体Bu中流过的电流的值。电流检测装置100v以非接触方式检测在V相导体Bv中流过的电流的值。电流检测装置100w以非接触方式检测在W相导体Bw中流过的电流的值。