[发明专利]电压电平移位器

说明书

一种电路包含第一到第五晶体管。所述第一晶体管(MN1)具有第一控制输入以及第一及第二电流端子。所述第二晶体管(MN2)具有第二控制输入以及第三及第四电流端子。所述第三晶体管(MP1)具有第三控制输入以及第五及第六电流端子。所述第三控制输入经耦合到所述第三电流端子，且所述第五电流端子经耦合到电源电压节点。所述第四晶体管(MP2)具有第四控制输入以及第七及第八电流端子。所述第四控制输入经耦合到所述第一电流端子，且所述第七电流端子经耦合到所述电源电压节点。所述第五晶体管(MN5)具有第五控制输入以及第九及第十电流端子。所述第五控制输入经耦合到所述第一控制输入，且所述第十电流端子经耦合到所述第二电流端子。

背景技术

电压电平移位器(或简称“电平移位器”)是将信号从一个电压域转化到另一电压域的电路。输出信号的电压可大于或小于输入信号的电压。例如，当已根据与电路本身的电源电压域不同的特定电压域生成到电路的输入信号时，可使用电平移位器。n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)通常使其源极连接到接地电势。如此，接通NMOS装置只需要超过晶体管的阈值电压的栅极电压，且在栅极电压低于阈值、更接近接地的情况下关断NMOS装置。p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)通常使其源极连接到电源电压。如此，关断PMOS装置需要更接近电源电压的栅极电压(即，在晶体管的电源电压的阈值电压内)。在电平移位器中，接通及关断NMOS装置的电压电平因此将不同于接通及关断PMOS装置的电压电平。

发明内容

在一个实例中，一种电路包含第一到第五晶体管。所述第一晶体管具有第一控制输入以及第一及第二电流端子。所述第二晶体管具有第二控制输入以及第三及第四电流端子。所述第三晶体管具有第三控制输入以及第五及第六电流端子。所述第三控制输入经耦合到所述第三电流端子，且所述第五电流端子经耦合到电源电压节点。所述第四晶体管具有第四控制输入以及第七及第八电流端子。所述第四控制输入经耦合到所述第一电流端子，且所述第七电流端子经耦合到所述电源电压节点。所述第五晶体管具有第五控制输入以及第九及第十电流端子。所述第五控制输入经耦合到所述第一控制输入，且所述第十电流端子经耦合到所述第二电流端子。

附图说明

对于各种实例的详细说明，现将参考附图，其中：

图1说明电平移位器的实例。

图2说明电平移位器的另一实例。

图3说明电平移位器的另一实例。

图4说明电平移位器的另一实例。

具体实施方式

图1展示高到低电平移位器100的实例，其转化来自低于电源电压域的电压域的传入信号。电平移位器100包含NMOS晶体管MN1、MN2、MN3及MN4、PMOS晶体管MP1及MP2以及反相器102、104及106。由于输入信号处于高于输出信号(OUT_HV2)的电压域的电压域中，出于可靠性原因，MN1及MN2是高电压晶体管，且因此MN1及MN2的阈值电压高于MN3、MN4、MP1及MP2的阈值电压。MP1及MP2的源极经连接到电源电压节点110(VDDHV2)。MP1的漏极在节点N1处连接到MN3的漏极，且MP2的漏极在节点N2处连接到MN4的漏极。MN3的源极经连接到MN1的漏极，且MN4的源极经连接到MN2的漏极。MN1及MN2的源极经连接到接地节点115。MP1的栅极经连接到N2，且MP2的栅极经连接到N1。MN3及MN4的栅极经连接在一起并接收启用(EN1)输入信号。当EN1被确立为高时，MN3及MN4两者都接通；否则，在EN1低的情况下，MN3及MN4两者都关断，且电平移位器被停用。MN1的栅极经配置以接收输入信号IN_HV1。反相器102使IN_HV1反相以驱动MN2的栅极。如此，MN1及MN2中的仅一者在任何时间点上接通。串联连接的反相器104及106经连接到N2，且反相器106的输出提供来自电平移位器100的输出信号OUT_HV2。