[发明专利]碳化硅衬底

说明书

碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×10¹¹原子/cm²以下。

技术领域

本公开内容涉及碳化硅衬底。本申请主张基于在2019年5月17日申请的日本专利申请即日本特愿2019-093883号的优先权。在该日本专利申请中记载的全部记载内容通过参考在本说明书中援引。

背景技术

在WO2016/063632号(专利文献1)中记载了清洗碳化硅衬底的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2016/063632号

发明内容

本公开内容所涉及的碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×10¹¹原子/cm²以下。

附图说明

[图1]图1为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的构成的俯视示意图。

[图2]图2为沿图1的II-II线得到的截面示意图。

[图3]图3为图2的区域III的放大示意图。

[图4]图4为示意性地表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的流程图。

[图5]图5为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的第一工序的截面示意图。

[图6]图6为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的第二工序的截面示意图。

[图7]图7为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的第三工序的截面示意图。

[图8]图8为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的第四工序的截面示意图。

[图9]图9为表示本实施方式所涉及的碳化硅衬底的制造方法的第五工序的截面示意图。

具体实施方式

[本公开内容所要解决的问题]

本公开内容的目的在于，提供清洁度高的碳化硅衬底。

[本公开内容的效果]

根据本公开内容，能够提供清洁度高的碳化硅衬底。

[本公开内容的实施方式的说明]

首先，列举本公开内容的实施方式进行说明。

(1)本公开内容所涉及的碳化硅衬底100具有第一主面1、第二主面2和倒角部6。第二主面2位于与第一主面1相反侧。倒角部6与第一主面1和第二主面2各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部6的表面锰浓度为1×10¹¹原子/cm²以下。

(2)在上述(1)所涉及的碳化硅衬底100中，倒角部6的算术平均粗糙度可以大于第一主面1和第二主面2各自的算术平均粗糙度。

(3)在上述(1)或(2)所涉及的碳化硅衬底100中，倒角部6的表面钠浓度可以为1×10⁸原子/cm²以上。

(4)在上述(1)～(3)中任一项所述的碳化硅衬底100中，倒角部6的表面钠浓度可以为3×10¹¹原子/cm²以下。

(5)在上述(1)～(4)中任一项所述的碳化硅衬底100中，倒角部6的表面钾浓度可以为1×10¹¹原子/cm²以下。