[发明专利]具有简化构造的单模硅基III-V族混合激光器

权利要求书

1.一种激光装置，包括：

III-V族异质结构放大介质(1，QW，2)；

硅光波导(3，4)，包括面向所述放大介质的中心部分的耦合段(51，61，71)、传播段(54，64，74)和布置在所述耦合段(51，61，71)和所述传播段(54，64，74)之间的第一过渡段(52，62，72)；

第一反射结构和第二反射结构(Mf，Mr)，允许在所述第一反射结构和所述第二反射结构之间形成用于所述放大介质的法布里-珀罗型谐振腔；

其特征在于，所述耦合段(51，61，71)包括设置有微反射器的折射率干扰区域(510，610，71)，所述微反射器通过减小所述耦合段的厚度和/或宽度来进行设计，所述微反射器具有为的长度并且彼此分隔开大于的距离，其中m是奇数，n是整数，λ_m0是真空中的波长，n_eff是所述折射率干扰区域的有效指数；

其中，所述第一反射结构(Mf)形成在所述波导的具有第一厚度的一段中；并且

其中，所述第二反射结构(Mr)形成在所述波导的具有第一厚度并且通过所述波导的第二过渡段(53，63，73)与所述耦合段(51，61，71)分隔开的一段(55，65，75)中，所述第二过渡段(53，63，73)具有大于所述第一厚度的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述第二反射结构(Mf)的反射率大于所述第一反射结构(Mr)的反射率。

3.根据权利要求2所述的激光装置，其中，所述第二反射结构(Mr)的反射率大于90％。

4.根据权利要求2和权利要求3中任一项所述的激光装置，其中，所述第一反射结构(Mf)的反射率在5％至60％之间。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的激光装置，其中，所述第二反射结构(Mr)是布拉格光栅。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的激光装置，其中，所述第一厚度在50nm至300nm之间，并且其中所述第二厚度比所述第一厚度大至少100nm，优选地大至少150nm。

7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的激光装置，其中，所述第一反射结构(Mf)形成在所述第一过渡段(52)中。

8.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的激光装置，其中，所述第一过渡段(62，72)具有所述第二厚度。

9.根据权利要求8所述的激光装置，其中，所述第一反射结构是形成在所述耦合段(61)中的布拉格光栅。

10.根据权利要求8所述的激光装置，其中，所述第一反射结构是形成在所述波导的插入在所述传播段(74)和所述第一过渡段(72)之间的一段(76)中的布拉格光栅。

11.根据权利要求1至权利要求10中任一项所述的激光装置，其中，所述波导是设置有背离所述放大介质的脊部(4)的波导。

12.根据结合权利要求7的权利要求11所述的激光装置，其中，所述脊部位于所述第二过渡段(53)处。

13.根据结合权利要求8至权利要求10中任一项的权利要求11所述的激光装置，其中，所述脊部位于所述第一过渡段(62，72)处且位于所述第二过渡段(63，73)处。