[发明专利]具有快速电荷传输的门控飞行时间像素的成像器件在审

专利信息
申请号: 202080033273.X 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN113785219A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 弗雷德里克·布雷迪;阿达什·巴萨瓦林加帕;诹访泰介;迈克尔·蒂默曼斯;黄仁成 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: G01S7/4863 分类号: G01S7/4863;H01L27/146;H04N5/374;G01S17/10
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 快速 电荷 传输 门控 飞行 时间 像素 成像 器件
【权利要求书】:

1.一种成像器件,其包括:

像素阵列,其包括多个像素,每个像素包括:

光电转换区域,其将入射光转换成电荷;和

电荷传输部,其连接到所述光电转换区域并且在平面图中沿第一轴线具有线对称,所述电荷传输部包括:

第一传输晶体管,其连接到第一浮动扩散和所述光电转换区域并且位于所述光电转换区域的第一侧;和

第二传输晶体管,其连接到第二浮动扩散和所述光电转换区域并且位于所述光电转换区域的所述第一侧。

2.根据权利要求1所述的成像器件,其中所述电荷传输部包括第三传输晶体管,所述第三传输晶体管连接到溢出区域并位于所述光电转换区域的所述第一侧且在所述第一传输晶体管与所述第二传输晶体管之间。

3.根据权利要求1所述的成像器件,其中所述第一轴线穿过所述第三传输晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的成像器件,其中所述第三传输晶体管的所述栅极位于比所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极更远离所述像素的中心的位置。

5.根据权利要求3所述的成像器件,其中所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极与所述像素的中心等距。

6.根据权利要求3所述的成像器件,其中所述第三传输晶体管的所述栅极比所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极更靠近所述像素的中心。

7.根据权利要求1所述的成像器件,其中每个像素进一步地包括其中设置有多个晶体管的晶体管部,并且其中所述晶体管部沿所述第一轴线具有线对称。

8.根据权利要求7所述的成像器件,其中所述多个晶体管包括第三和第四传输晶体管以及第一和第二复位晶体管。

9.根据权利要求8所述的成像器件,其中所述多个晶体管包括第一和第二选择晶体管以及第一和第二放大晶体管。

10.根据权利要求2所述的成像器件,其中所述光电转换区域包括主要部分和从所述主要部分延伸的延伸部分,并且其中所述光电转换区域的所述第一侧包括所述延伸部分。

11.根据权利要求10所述的成像器件,其中所述延伸部分包括第一边缘、第二边缘以及连接所述第一边缘和所述第二边缘的第三边缘,其中所述第一传输晶体管位于所述第一边缘,所述第二传输晶体管位于所述第二边缘,以及所述第三传输晶体管位于所述第三边缘。

12.根据权利要求10所述的成像器件,其中所述多个像素中的至少一些像素的所述第三晶体管共享漏极区域。

13.根据权利要求10所述的成像器件,其中,在所述平面图中,相邻像素的所述电荷传输部沿与所述第一轴线垂直的第二轴线彼此对齐。

14.根据权利要求1所述的成像器件,其中所述光电转换区域的最靠近所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的部分的杂质浓度大于所述光电转换区域的最远离所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的部分的杂质浓度。

15.根据权利要求1所述的成像器件,其中所述第一轴线穿过所述像素的中心。

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