[发明专利]用于形成和图案化层和/或基板的方法在审
| 申请号： | 202080032737.5 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113785380A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 越泽武仁;程睿;辛格·特金德;押尾英隆 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 图案 方法 | ||
1.一种形成用于半导体处理的特征的方法，所述方法包括以下步骤：
于基板上形成第一心轴和第二心轴；
沿着所述第一心轴的第一侧壁形成第一间隔物并沿着所述第二心轴的第二侧壁形成第二间隔物，间隙界定于所述第一间隔物与所述第二间隔物之间；和
由间隙填充材料填充所述间隙，所述间隙填充材料包括掺杂的硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一心轴和所述第二心轴各自为碳。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：藉由湿式蚀刻工艺选择性地去除所述第一间隔物和所述第二间隔物，其中所述湿式蚀刻工艺不蚀刻所述间隙填充材料。
4.如权利要求3所述的方法，其中藉由所述间隙填充材料无缝地填充所述间隙。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述掺杂的硅材料为硼掺杂的硅，所述硼掺杂的硅具有介于1020cm-3与1024cm-3之间的硼浓度。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物各自为非晶硅。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述湿式蚀刻工艺包括蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包括碱性或碱土蚀刻剂。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物各自为在低温下沉积的氧化硅。
9.如权利要求3所述的方法，其中所述掺杂的硅材料为碳掺杂的硅。
10.如权利要求9所述的方法，其中藉由可流动CVD(FCVD)沉积所述碳掺杂的硅。
11.如权利要求9所述的方法，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物各自为非晶硅。
12.一种形成用于半导体处理的特征的方法，所述方法包括以下步骤：
于基板上形成第一心轴和第二心轴；
沿着所述第一心轴的第一侧壁形成第一间隔物并沿着所述第二心轴的第二侧壁形成第二间隔物，间隙界定于所述第一间隔物与所述第二间隔物之间，所述第一间隔物和所述第二间隔物各自包括掺杂的硅材料；和
由间隙填充材料填充所述间隙。
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