[发明专利]由紫外光谱法测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度的测定方法

说明书

本发明的目的是提供一种高精度的测定方法，在使用紫外分光光度计测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度时，减少因卤素氟化物的光分解而产生的氟气等带来的测定误差。本发明是一种氟气浓度的测定方法，对含卤素氟化物气体照射小于250nm的波长范围内的紫外光强度的最大值(W_X)相对于波长为285nm的紫外光强度(W_F)之比(W_X/W_F)在1/10以下的紫外光，测定285nm波长的吸光度，从而得到含卤素氟化物气体所含的氟气浓度。

技术领域

本发明涉及含卤素氟化物气体所含的氟气浓度的测定方法。

背景技术

卤素氟化物在半导体制造工艺中被用于蚀刻气体和清洁气体等。近年来，半导体的微细化正在推进，对半导体制造工艺中使用的蚀刻气体和清洁气体等要求高纯度的气体。为了调制高纯度的气体，需要高精度地测定蚀刻气体和清洁气体等所含的杂质即氟气的浓度的方法。

作为测定氟气浓度的方法，例如专利文献1公开了一种方法，其使用紫外分光光度计和傅立叶变换红外分光光度计，测定从半导体制造装置等电子器件制造装置排出的排气等气体中所含的氟气浓度。专利文献2公开了一种方法，其使用紫外分光光度计和傅立叶变换红外分光光度计，测定从使用六氟化硫的半导体工艺装置排出的排气中的氟浓度。专利文献3公开了一种采用紫外-可见吸收光谱法分析由半导体制造工艺产生的卤素气体的方法。

现有技术文献

专利文献1：日本专利第5221881号公报

专利文献2：日本特开2010-203855号公报

专利文献3：美国专利第6686594号说明书

发明内容

在采用紫外光谱法测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度的情况下，卤素氟化物主要吸收波长小于250nm的光，因此，卤素氟化物的一部分被光分解，产生氟分子和/或氟自由基。因此，在测定卤素氟化物中的氟气浓度时，存在由于因光分解产生的氟和/或氟自由基而产生测定误差的问题。

因此，本发明的目的是提供一种高精度的测定方法，在使用紫外分光光度计测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度时，减少因卤素氟化物的光分解而产生的氟气等带来的测定误差。

为了解决上述课题，本发明人进行了深入的研究，结果发现，在照射紫外光来测定含卤素氟化物气体所含的氟气浓度时，通过抑制波长小于250nm的紫外光的照射，能够进行高精度的测定，从而完成了本发明。即，本发明包括以下所示的[1]～[8]。

[1]一种氟气浓度的测定方法，对含卤素氟化物气体照射小于250nm的波长范围内的紫外光强度的最大值(W_X)相对于波长为285nm的紫外光强度(W_F)之比(W_X/W_F)在1/10以下的紫外光，测定285nm波长的吸光度，从而得到含卤素氟化物气体所含的氟气浓度。

[2]根据[1]所述的氟气浓度的测定方法，使用抑制来自光源的波长小于250nm的紫外光照射的单元，对所述含卤素氟化物气体照射波长为250nm以上的紫外光。

[3]根据[1]或[2]所述的氟气浓度的测定方法，所述单元使从所述光源照向含卤素氟化物气体的紫外光经由滤光器来照射，该滤光器将50％以上的波长小于250nm的紫外光遮断，并使90％以上的波长为280～290nm的紫外光透过。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的氟气浓度的测定方法，所述卤素氟化物是选自三氟化氯、五氟化溴、七氟化碘、三氟化溴和五氟化碘中的任一种气体。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的氟气浓度的测定方法，所述卤素氟化物是七氟化碘。