[发明专利]用于处理基板的设备

说明书

本发明关于用于处理基板的设备，包含支撑单元、盖体、第一气体注入单元、第二气体注入单元、清除气体单元及旋转单元，支撑单元用以支撑基板，盖体在向上方向上与支撑单元分离，第一气体注入单元耦接于盖体以将第一气体注入至第一区域中，第二气体注入单元耦接于盖体以将第二气体注入至第二区域中，清除气体单元耦接于盖体以将清除气体注入至第三区域中，第三区域设置于第一区域与第二区域之间，旋转单元用以使支撑单元旋转。

技术领域

本发明关于在基板上进行如沉积工艺及蚀刻工艺的工艺的基板处理设备。

背景技术

一般而言，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示器装置等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案(thin-film circuit pattern)或光学图案(opticalpattern)。为此，需要在基板上执行工艺，工艺的示例包含沉积工艺、曝光工艺(photoprocess)、蚀刻工艺等，其中沉积工艺将含有特殊材料的薄膜沉积于基板上，曝光工艺使用感光材料选择性曝光(expose)薄膜的一部分，蚀刻工艺将薄膜中选择性曝光的一部分移除以形成图案。此种工艺通过基板处理设备在基板上进行。

已知的基板处理设备包含基板支撑单元、旋转单元、第一气体注入单元及第二气体注入单元，其中基板支撑单元支撑基板，旋转单元使基板支撑单元相对于其旋转轴连续地旋转，第一气体注入单元朝向基板支撑单元的第一注入空间注入第一气体，第二气体注入单元朝向基板支撑单元的第二注入空间注入第二气体。

当第一气体注入单元将第一气体注入至第一注入空间且第二气体注入单元将第二气体注入至第二注入空间时，旋转单元使得基板支撑单元连续地旋转，而使得基板依序且重复地通过第一注入空间及第二注入空间。因此，会在第一注入空间中进行使第一气体吸附至基板上的吸附工艺，接着，吸附至基板上的第一气体与第二气体注入单元所注入的第二气体反应，从而进行将薄膜沉积于基板上的沉积工艺。据此，薄膜通过原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)工艺沉积在基板上。

于此，已知的基板设备被实施为使得旋转单元将基板支撑单元连续地旋转，因此吸附工艺在基板旋转的状态下进行。

因此，在已知的基板设备中，由于在基板连续地旋转时产生的离心力，因此在第一注入空间中无法正常地进行吸附工艺。

因此，在已知的基板设备中，在基板的上部，第二注入空间中未吸附至基板的第一气体会与第二气体注入单元所注入的第二气体反应，因此薄膜通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺沉积在基板上，进而造成沉积于基板上的薄膜的薄膜质量下降的问题。

发明内容

【技术问题】

本发明旨在解决上述问题并提供基板处理设备以防止沉积于基板上的薄膜的品质下降。

【技术手段】

为了达成上述目的，本发明可包含以下要素。

根据本发明的用于处理基板的设备可包含支撑单元、盖体、第一气体注入单元、第二气体注入单元、清除气体单元及旋转单元，支撑单元用以支撑基板，盖体在向上方向上与支撑单元分离地设置，第一气体注入单元耦接于盖体以将第一气体注入至第一区域中，第二气体注入单元耦接于盖体以将第二气体注入至第二区域中，清除气体单元耦接于盖体以将清除气体注入至第三区域中，第三区域设置于第一区域与第二区域之间，旋转单元用以使支撑单元旋转。旋转单元可使得支撑单元选转，而使得基板在第一区域与第二区域之间移动，当在第一区域中进行使用第一气体的工艺且在第二区域中进行使用第二气体的工艺时，旋转单元可使支撑单元停止旋转。第一气体注入单元的底面与支撑单元分离的距离短于第二气体注入单元的底面与支撑单元分离的距离。

【有利功效】

根据本发明，可获得以下功效。