[发明专利]物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查设备、装置制造方法

说明书

本发明提供一种物体定位器，包括：具有物体支撑表面的物体支撑件，该物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度；热装置，该热装置被配置为向物体的至少一部分提供第一物体温度，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月1日提交的欧洲申请19172109.1的优先权，该申请的全部内容通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查设备和装置制造方法。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投射到提供在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。物体检查设备例如适用于检查已被施加到物体、例如施加到衬底、例如施加到晶片的图案。

随着半导体制造工艺的不断进步，几十年来，电路元件的尺寸已不断地减小，而每个装置的诸如晶体管之类的功能元件的数目已经在稳步增加，这遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小特征的技术。为了将图案投射至衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前在使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可以被用来在衬底上形成更小的特征。

在光刻工艺中，最重要的是被投射在衬底上的图案是高度准确的。其上被投射图案的物体(例如衬底，例如晶片)上的平坦度是获得投射图案的所期望准确度的重要因素。然而，例如由于衬底的处理，特别是抗蚀剂层的重复施加、固化和蚀刻，衬底的形状可能由于衬底在垂直于衬底平面的方向上的变形而偏离所期望的完全平坦形状。衬底可以例如是翘曲的，或者具有伞形或碗形，或者甚至可能具有与平面形状的更高阶偏离。

此外，还有变形，例如衬底的平面中的局部变形应被保持在最小值，以便尽可能地减少套刻误差。

已经提出了用于平整化衬底的若干解决方案。例如，在一些已知的光刻系统中，衬底被夹持到物体支撑件(例如衬底支撑件，例如晶片台)上，其中局部变化的夹持力允许至少在一定程度上平整化衬底。然而，这样的解决方案需要对物体支撑件进行修改，这可能很难实现。另外，衬底在衬底的平面内变形的问题没有得到解决，甚至可能由于衬底在垂直于衬底平面的方向上的变形而被加剧。

发明内容

本发明旨在提供一种有助于减少衬底变形的物体定位器和用于校正物体形状的方法。

根据本发明的一个实施例，提供了一种物体定位器，

其中包括：

-具有物体支撑表面的物体支撑件，该物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度，

-热装置，该热装置被配置为向物体的至少一部分提供第一物体温度，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

根据本发明，提供了一种物体支撑件，该物体支撑件提供有被配置为接合物体的至少一部分的物体支撑表面。物体支撑件例如是衬底支撑件或晶片桌或晶片台。物体支撑表面是例如在曝光期间或在测量期间将物体支撑在其上的衬底支撑件(例如晶片台)的支撑表面。物体支撑表面具有支撑表面温度。

此外，提供了一种热装置，其被配置为使物体的至少一部分(例如衬底，例如晶片)处于第一物体温度。第一物体温度不同于其上支撑或将支撑该物体的物体支撑表面的支撑表面温度。