[发明专利]用于精准检测例如传感器的信号的方法在审
| 申请号: | 202080031473.1 | 申请日: | 2020-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN113728553A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | C·贝沃特;B·莱德曼;F·梅茨格尔;F·鲍曼 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/12 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 精准 检测 例如 传感器 信号 方法 | ||
1.一种用于精准检测例如传感器(200)的信号的方法,所述检测借助例如与所述传感器(100)电连接的分析处理和控制单元(100)进行,其中,所述分析处理和控制单元(100)具有多路复用器(110),在所述多路复用器的输入端(111,112,113,114,115,116)上至少施加已知其电压值(URef)的参考电压(U_R)、所述参考电压的参考电位(GND_R)、废气传感器的测量信号(U_M)和所述测量信号的参考电位(GND_M),其中,经由传输路线(120)并经由将在其两个输入端(131,132)之间施加的电压转换为数字值的ADC(130),在所述多路复用器(110)的后面连接计算装置(140),其中,所述方法设置,执行多个单次测量(E1,E2,E3,E4),在所述单次测量中分别改变多路复用器(110)的开关状态,并且在所述单次测量中分别随后在所述ADC(130)的输出端处检测数字值,并且所述方法设置,所述计算装置(140)由所述数字值计算经偏移校正和增益校正的测量值,其特征在于,在所述ADC(130)的输入端处的两个电平已经达到稳态之前分别检测所述数字值,或者在所述ADC(130)的输入端处的两个电平已经达到稳态之前开始所述AD转换。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,执行以下单次测量(E1,E2,E3,E4):
a)参考电压测量(E1):所述多路复用器(110)将所述参考电压(U_R)接通到所述ADC(130)的第一输入端(131)上,并将所述参考电压的参考电位(GND_R)接通到所述ADC(130)的第二输入端(132)上;在所述ADC(130)的输出端(133)处求取参考电压值(Z_UR),
b)参考偏移电压测量(E2):所述多路复用器(110)将所述参考电压的参考电位(GND_R)接通到所述ADC(130)的两个输入端(131,132)上;在所述ADC(130)的输出端(133)处求取参考偏移电压值(Z_URoffset),
c)测量电压测量(E3):所述多路复用器(110)将所述测量电压(U_M)接通到所述ADC(130)的第一输入端(131)上,并将所述测量电压的参考电位(GND_M)接通到所述ADC(130)的第二输入端(132)上;在所述ADC(130)的输出端(133)处求取测量电压值(Z_UM),
d)测量电压偏移电压测量(E4):所述多路复用器(110)将所述测量电压的参考电位(GND_M)接通到所述ADC(130)的两个输入端(131,132)上;在所述ADC(130)的输出端处求取测量偏移电压值(Z_UMoffset);
并且根据以下公式计算所述经偏移校正和增益校正的测量值(U_MuC):
U_MuC=URef*(Z_UM-Z_UMoffset)/(Z_UR-Z_URoffset),
其中,
U_MuC是所述经偏移校正和增益校正的测量值(U_MuC);
URef是所述参考电压(URef)的已知电压值;
Z_UM是所述测量电压值(Z_UM);
Z_UMoffset是所述测量偏移电压值(Z_UMoffset);
Z_UR是参考电压值(Z_UR);
Z_URoffset是所述参考偏移电压值(Z_URoffset)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在每个单次测量(E1,E2,E3,E4)之前将所述分析处理和控制单元(100)置于相同的基本状态下。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述单次测量(E1,E2,E3,E4)彼此之间具有相同的定时。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述多路复用器(110)的开关(P1,P2,P3,P4,M1,M2)彼此之间具有准确的匹配。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,周期性地重复所述单次测量(E1,E2,E3,E4)和所述经偏移校正和增益校正的测量值(U_MuC)的计算。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述传感器(200)是宽带λ探测器,并且所述分析处理和控制单元(100)构造为ASIC。
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