[发明专利]包括堆叠在具有可编程集成电路的管芯上的存储器管芯的多芯片结构

权利要求书

1.一种多芯片结构，包括：

封装衬底；

第一管芯，包括可编程集成电路，所述可编程集成电路包括存储器控制器，所述第一管芯在所述封装衬底上，并且附接到所述封装衬底；以及

第二管芯，包括存储器，所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上，所述存储器通信耦合到所述存储器控制器。

2.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第一管芯包括半导体衬底，衬底通孔TSV穿过所述半导体衬底，所述存储器控制器经由所述TSV通信耦合到所述存储器。

3.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第二管芯通过外部电连接器附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的一侧。

4.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述存储器控制器与所述存储器之间没有通信设置和电设置物理层接口。

5.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第一管芯包括控制逻辑电路，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器与所述存储器之间。

6.根据权利要求1所述的多芯片结构，还包括第三管芯，所述第三管芯包括控制逻辑电路，所述第三管芯堆叠在、并且附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的一侧，所述第二管芯堆叠在、并且附接到所述第三管芯的与所述第一管芯相对的一侧，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器与所述存储器之间。

7.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第三管芯键合到所述第一管芯。

8.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第三管芯通过外部电连接器附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的所述一侧。

9.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第二管芯通过外部电连接器附接到所述第三管芯的与所述第一管芯相对的所述一侧。

10.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述存储器控制器与所述存储器之间没有通信设置和电设置物理层接口。

11.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中：

所述第一管芯包括通信耦合到所述存储器控制器的第一物理层接口；以及

所述第三管芯包括第二物理层接口，所述第二物理层接口通信耦合到所述第一物理层接口和所述控制逻辑电路，并且在所述第一物理层接口与所述控制逻辑电路之间。

12.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述可编程集成电路包括现场可编程门阵列FPGA。

13.一种形成多芯片结构的方法，所述方法包括：

将第一管芯堆叠在第二管芯上，所述第一管芯包括存储器，所述第二管芯包括可编程集成电路，所述可编程集成电路包括存储器控制器，所述存储器控制器通过堆叠在所述第二管芯上的所述第一管芯通信耦合到所述存储器；以及

将所述第一管芯附接到封装衬底。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

将所述第一管芯堆叠在所述第二管芯上包括：通过外部电连接器将所述第一管芯附接到所述第二管芯；

所述第二管芯包括控制逻辑电路，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器与所述存储器之间；以及

所述存储器控制器与所述存储器之间没有通信设置和电设置物理层接口。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：将第三管芯附接到所述第二管芯，所述第一管芯附接到所述第三管芯，所述第三管芯包括控制逻辑电路，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器和所述存储器之间。