[发明专利]包括薄膜晶体管和有机光电二极管的图像传感器阵列器件

权利要求书

1.一种用于图像传感器的阵列光电子器件，其在同一绝缘支撑衬底(S)上包括形成在有源检测区(ZA)中的以行和列对齐的像素的阵列以及形成在外围区(ZP)中的包括用于控制像素行的晶体管的驱动电路(20)，每个像素包括具有像素选择晶体管功能的至少一个晶体管(Ts)和有机光电二极管(OP)，所述有机光电二极管(OP)在特定于所述像素并连接到所述至少一个像素晶体管的下电极(E1)和所述像素共用的上电极(E2)之间，并且所述光电子器件由介电支撑衬底上的连续层组件的堆叠形成，所述光电子器件

在有源阵列区(ZA)中包括：

第一薄膜晶体管组件(100)，所述第一薄膜晶体管组件形成像素的所述至少一个晶体管(Ts)，并覆盖有在所述第一组件上连续延伸的绝缘钝化层(CP)，以及

第二层组件(200)，所述第二层组件形成所述像素的有机光电二极管(OP)，并且包括：第一导电层堆叠级(201)，所述第一导电层堆叠级是空间局部化级，由所述钝化层(CP)支撑，形成每个像素中的下电极(E1)；一层或多层的有源有机结构(OST)的第二堆叠级(202)；以及第三导电层堆叠级(203)，所述第三导电层堆叠级形成在有源结构上方延伸的所述像素的上电极(E2)，并且在每个像素中，所述第一导电层堆叠级(201)还在每个像素中形成至少覆盖像素晶体管表面的光屏蔽件(LS_i,j)，以及

在所述外围区(ZP)中包括：

形成所述驱动电路(20)的所述晶体管(T_G)的所述第一层组件，

由所述钝化层(CP)支撑的空间局部化的第一导电层堆叠级(201)，所述第一导电层堆叠级形成在所述驱动电路的所述晶体管(T_G)上方连续延伸的光屏蔽件(LS_GOA)，并且包括允许连接到外部偏置电压(Vbias)的接触区(52)，

像素的上电极(E2)在所述外围区中延伸，以直接电接触的方式覆盖所述光屏蔽件(LS_GOA)，从而形成用于将所述上电极偏置到所述电压(Vbias)的互连件。

2.根据权利要求1所述的阵列光电子器件，其中局部化的所述第一层堆叠级(201)包括由不透明金属制成的至少一个导电层(201a)，所述至少一个导电层被空间局部化以在有源区中的每个像素中形成单独的光屏蔽件图案，并在所述外围区中形成用于所述驱动电路的光屏蔽件图案。

3.根据权利要求2所述的阵列光电子器件，其中所述第一导电层堆叠级(201)包括由透明导电材料制成的至少一个第二层(201b)，所述至少一个第二层形成所述第一堆叠级的上表面。

4.根据权利要求3所述的阵列光电子器件，其中所述第一堆叠级(201)在所述钝化层(CP)的表面处形成双层图案，包括在所述钝化层的表面平面中形成的不透明图案(201a)，以及透明图案(201b)，所述透明图案(201b)覆盖所述钝化层上的所述不透明图案并延伸到所述不透明图案的每一侧之外。

5.根据权利要求3所述的阵列光电子器件，其中所述第一堆叠级(201)在所述钝化层(CP)的表面处形成三层图案，所述三层图案包括完全封装在所述透明图案(201b)的厚度中的不透明图案(201a)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列光电子器件，其中在每个像素中，所述光屏蔽件的表面对应于像素的电极表面。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列光电子器件，其中在每个像素中，所述光屏蔽件的表面外接于像素晶体管表面。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的阵列光电子器件，其中所述透明导电材料(201b)是导电氧化物。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列光电子器件，其中形成所述上电极(E2)的第三堆叠级(203)是基于PEDOT-PSS的。