[发明专利]负载驱动装置在审
申请号: | 202080028773.4 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN113711478A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 几山武;八幡光一 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H03K17/08;H03K17/082;H03K17/695 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹;宋俊寅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 驱动 装置 | ||
存在即使在半导体元件的高温导通时有意地使大电流流过,也会检测到过电流状态从而使电流停止的问题。在本发明的负载驱动装置中,当输入电压(Vin)达到阈值电压(Vth)时,过电流检测部(4)检测到过电流,并将过电流检测信号(c)输出到栅极驱动部(3)。另一方面,当输入了温度检测信号(a)和电流控制信号(b)时,晶体管(52)导通,并且过电流检测部(4)的输入电压(Vin)变为零。而且,在这种情况下,过电流检测部(4)的输入电压(Vin)不会达到阈值电压(Vth)。因此,从栅极驱动部(3)输出的驱动信号不停止其输出。因此,漏极电流(Ids)能流过大电流。
技术领域
本发明涉及负载驱动装置。
背景技术
在负载驱动装置中,将半导体元件设置在电极之间,并且通过半导体元件的开关控制向负载提供电流。而且,通过监视半导体元件的电极之间的电位差来检测过电流。另一方面,SiC(碳化硅)等半导体元件具有高温导通时电阻值上升的特性,在大电流下电极间电压大幅上升。
专利文献1公开了一种负载驱动装置,其将半导体元件的漏极-源极间电压与规定的基准电压进行比较,并检测过电流状态。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2016-201593号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述的专利文献1所记载的装置存在即使在半导体元件的高温导通时有意地使较大电流流过,也会检测到过电流状态而导致电流停止的问题。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明所涉及的负载驱动装置包括:半导体元件,该半导体元件设置在有电流流过的电极之间,在进行导通动作时提供电流,在进行关断动作时切断电流;过电流检测部,该过电流检测部对基于所述电极之间的电压的输入电压为阈值电压以下的情况进行检测;以及电压变更电路部,该电压变更电路部对基于所述电极之间的电压的所述输入电压进行变更,所述电压变更电路基于允许所述半导体元件中流过规定值以上的电流的电流控制信号以及表示所述半导体元件的温度在规定值以上的温度检测信号,将所述输入电压变更为所述阈值电压以下。
发明效果
根据本发明,在半导体元件高温导通时,能有意地使大电流流过。
附图说明
图1是负载驱动装置的电路结构图。
图2是表示半导体元件的电阻值特性的图表。
图3是表示由于温度引起的电极间电压上升的例子的图表。
图4(A)~图4(D)是示出在不允许大电流的情况下的负载驱动装置的动作的时序图。
图5(A)~图5(D)是示出在允许大电流的情况下的负载驱动装置的动作的时序图。
具体实施方式
图1是负载驱动装置100的电路结构图。
半导体元件1例如配置在正极P和负极N的电极之间。而且,半导体元件1在导通动作时提供电流,在关断动作时切断断电流。半导体元件1例如是构成三相感应电动机(MOTOR)的UVW相的各相上下臂串联电路的半导体元件之一,相当于各相的上臂或各相的下臂。UVW相中的上下臂串联电路构成逆变器。
将用于检测半导体元件1的温度的温度检测元件2配置在半导体元件1的附近。来自温度检测元件2的温度检测信号被输入到控制部10。当来自温度检测元件2的检测信号达到规定值时,控制部10输出温度检测信号a。
栅极驱动部3由电源Vcc供电,并响应于来自控制部10的PWM信号等,向半导体元件1的栅极电极输出驱动信号。当从栅极驱动部3输入驱动信号时,半导体元件1进行导通动作。此外,当从后述的过电流检测部4输入表示检测到过电流的过电流检测信号c时,栅极驱动部3停止向半导体元件1输出驱动信号。
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