[发明专利]用于蚀刻应用的受控孔隙率氧化钇

权利要求书

1.一种烧结氧化钇体，其具有40ppm或更少的总杂质水平、不小于4.93g/cm³的密度，其中所述烧结氧化钇体具有包含至少一个孔的至少一个表面，其中没有直径大于5μm的孔。

2.如权利要求1所述的烧结氧化钇体，其中所述密度不小于4.96g/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的烧结氧化钇体，其中所述密度不小于4.98g/cm³。

4.如权利要求1、2和3中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述密度不小于5.01g/cm³。

5.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中没有直径大于4μm的孔。

6.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中没有直径大于3μm的孔。

7.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中没有直径大于2μm的孔。

8.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中没有直径大于1μm的孔。

9.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为35ppm或更少。

10.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为30ppm或更少。

11.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为25ppm或更少。

12.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为20ppm或更少。

13.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为15ppm或更少。

14.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为10ppm或更少。

15.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其中所述总杂质水平为6ppm或更少。

16.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，所述烧结氧化钇体在其中使所述至少一个表面的10mm x 5mm面积在10毫托的压力、20sccm的氩气流速、600伏的偏压和2000瓦特ICP功率下经受蚀刻条件的工艺中表现出小于约375,000μm³的蚀刻体积，其中所述工艺具有第一步骤和第二步骤，其中所述第一步骤具有90sccm的CF₄流速、30sccm的氧气流速，持续1500秒，并且所述第二步骤具有0sccm的CF₄流速和100sccm的氧气流速，持续300秒，其中依次重复所述第一步骤和所述第二步骤，直至所述第一步骤中CF₄暴露的时间为24小时。

17.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其表现出小于约325,000μm³的蚀刻体积。

18.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，其表现出小于约275,000μm³的蚀刻体积。

19.如前述权利要求中任一项所述的烧结氧化钇体，对于所述至少一个表面上的所有孔的95％或更多，所述烧结氧化钇体具有最大孔径为1.50μm的孔径分布。