[发明专利]掺杂有碳族元素的纳米金刚石的制造方法及纯化方法在审

专利信息
申请号: 202080024542.6 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN113631252A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 间彦智明;牧野有都;鹤井明彦;刘明;西川正浩 申请(专利权)人: 株式会社大赛璐
主分类号: B01J3/08 分类号: B01J3/08;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/15;C01B32/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 杨薇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 有碳族 元素 纳米 金刚石 制造 方法 纯化
【权利要求书】:

1.掺杂有碳族元素的纳米金刚石的制造方法,该方法包括:

使含有至少一种炸药和至少一种碳族元素化合物的炸药组合物在密闭容器内爆炸,得到掺杂有选自Si、Ge、Sn及Pb中的至少一种碳族元素的纳米金刚石的爆轰工序;和

对掺杂有碳族元素的纳米金刚石进行碱处理以除去所述碳族元素和/或其氧化物的工序。

2.根据权利要求1所述的掺杂有碳族元素的纳米金刚石的制造方法,其中,

在碱处理工序之前或之后,进一步包括用浓硝酸与浓硫酸的混酸对所述掺杂有碳族元素的纳米金刚石进行处理的混酸处理工序。

3.根据权利要求1或2所述的掺杂有碳族元素的纳米金刚石的制造方法,其中,

所述炸药组合物进一步包含含有选自B、P、S、Cr、Al、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Cd、Hg、Ga、In、Tl、As、Sb、Bi、Se、Te、Co、Xe、F、Y及镧系元素中的至少一种第3元素的化合物。

4.掺杂有碳族元素的纳米金刚石的纯化方法,该方法包括:

对含有选自Si、Ge、Sn及Pb中的至少一种碳族元素和/或其氧化物、以及所述掺杂有碳族元素的纳米金刚石的纳米金刚石组合物进行碱处理以除去所述碳族元素和/或其氧化物的工序。

5.根据权利要求4所述的掺杂有碳族元素的纳米金刚石的纯化方法,其中,

所述纳米金刚石组合物是经混酸处理而得到的。

6.根据权利要求4或5所述的掺杂有碳族元素的纳米金刚石的纯化方法,其中,

所述纳米金刚石组合物进一步含有选自B、P、S、Cr、Al、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Cd、Hg、Ga、In、Tl、As、Sb、Bi、Se、Te、Co、Xe、F、Y及镧系元素中的至少一种第3元素和/或其氧化物。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的掺杂有碳族元素的纳米金刚石的纯化方法,其中,

所述纳米金刚石中进一步掺杂有选自B、P、S、Cr、Al、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Cd、Hg、Ga、In、Tl、As、Sb、Bi、Se、Te、Co、Xe、F、Y及镧系元素中的至少一种第3元素。

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