[发明专利]碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法、碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法、冷冻电子显微镜用栅格的制造方法、有机物质、冷冻电子显微镜用栅格

说明书

本发明提供一种碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法，在利用冷冻电子显微镜进行的结构分析中，能够抑制或防止结构分析对象物质的不均匀分布、取向性的偏差等。为了实现上述目的，本发明的碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法的特征在于，包括使碳同素异形体表面与卤素氧化物自由基进行反应的表面处理工序，通过上述表面处理工序对上述碳同素异形体表面进行改性。

技术领域

本发明涉及碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法、在碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法、冷冻电子显微镜用栅格的制造方法、有机物质、冷冻电子显微镜用栅格。

背景技术

冷冻电子显微镜用于蛋白质等物质的结构分析(专利文献1等)。

在利用冷冻电子显微镜进行的对于结构分析对象物质(例如蛋白质)的结构分析中，为了捕捉结构分析对象物质，可以使用由石墨烯或类金刚石碳(DLC)形成的碳栅格。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-250721号公报

发明内容

但是，在用碳栅格捕捉蛋白质等结构分析对象物质的情况下，在碳栅格上会发生结构分析对象物质的不均匀分布(局部化)、取向性的偏差等，有可能对结构分析带来障碍。

因此，本发明的目的在于提供一种在利用冷冻电子显微镜进行的结构分析中能够抑制或防止结构分析对象物质的不均匀分布、取向性的偏差等的、碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法、在碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法、冷冻电子显微镜用栅格的制造方法、有机物质、冷冻电子显微镜用栅格。

为了实现上述目的，本发明的碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法的特征在于，包括使碳同素异形体表面与卤素氧化物自由基进行反应的表面处理工序，通过上述表面处理工序对上述碳同素异形体表面进行改性。

本发明的在碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法的特征在于，包括：

通过本发明的碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法来制造上述碳同素异形体表面经改性的物质的工序；以及

向所述经改性的表面导入官能团的官能团导入工序。

本发明的冷冻电子显微镜用栅格的制造方法是利用在上述碳同素异形体表面导入有官能团的物质形成的冷冻电子显微镜用栅格的制造方法，其特征在于，包括通过本发明的在碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法来制造在上述碳同素异形体表面导入有官能团的物质的工序。

本发明的第一有机物质是具有如下结构的有机物质：在碳同素异形体表面导入选自羟基、羧基和醛基中的至少一个取代基，并且上述取代基进一步转化为其他官能团。

本发明的第二有机物质是在类金刚石碳(DLC)表面导入有官能团的有机物质。需要说明的是，以下，有时将本发明的第一有机物质和本发明的第二有机物质统称为“本发明的有机物质”。

本发明的冷冻电子显微镜用栅格是由本发明的有机物质形成的冷冻电子显微镜用栅格。

根据本发明，能够提供在利用冷冻电子显微镜进行的结构分析中能够抑制或防止结构分析对象物质的不均匀分布、取向性的偏差等的、碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法、在碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法、冷冻电子显微镜用栅格的制造方法、有机物质、冷冻电子显微镜用栅格。

附图说明

图1是示意地表示使用气相中的反应进行上述表面处理工序的装置的一个例子的图。

图2是表示实施例中的石墨烯的表面处理工序(氧化反应)前后的XPS测定结果的图表。

图3是表示实施例中的碳纳米管的表面处理工序(氧化反应)前后的XPS测定结果的图表。

图4是表示实施例中的富勒烯的表面处理工序(氧化反应)前后的XPS测定结果的图表。