[发明专利]粒子的制造方法及粒子制造装置有效
| 申请号： | 202080022141.7 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113613814B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 佐仓直喜;佐佐木洋和 | 申请（专利权）人： | 昭荣化学工业株式会社 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B82Y40/00;B01J19/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粒子 制造 方法 装置 | ||
1.一种粒子的制造方法，该方法包括：
反应原料液送出工序，将至少包含粒子形成用原料、以及溶解该粒子形成用原料的溶剂的反应原料液送出；
区段流形成工序，向该反应原料液导入区段化用气体，形成该反应原料液被该区段化用气体分割成区段的区段化反应原料液流；以及
粒子生成工序，通过在压力P1(MPa)的加压下且加热温度T(℃)下对该区段化反应原料液流进行加热，使该粒子形成用原料反应，生成目标产物粒子，形成含有该目标产物粒子的产物粒子流，
在该粒子生成工序中，该区段化反应原料液流中以加热温度T(℃)进行了加热后的该区段化用气体的体积Vd(mL)相对于以加热温度T(℃)进行了加热后的该反应原料液的体积Vc(mL)之比(Vd/Vc)为0.200～7.00，
并且该粒子生成工序中的该压力P1为该加热温度T下的该溶剂的蒸气压P2(MPa)的2.0倍以上。
2.根据权利要求1所述的粒子的制造方法，其中，
在所述区段流形成工序中，以所述区段化用气体的体积Vb(mL)相对于所述反应原料液的体积Va(mL)之比(Vb/Va)成为0.100～3.00的量将该区段化用气体导入该反应原料液。
3.根据权利要求1或2所述的粒子的制造方法，其中，
所述粒子生成工序中，以所述加热温度T(℃)进行了加热后的该区段化用气体的体积Vd(mL)相对于以所述加热温度T(℃)进行了加热后的该反应原料液的体积Vc(mL)之比(Vd/Vc)为0.200～3.50。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述粒子生成工序中的所述压力P1为所述溶剂在所述加热温度T下的蒸气压P2(MPa)的3.0倍以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述区段流形成工序中，所述区段化用气体的体积Vb(mL)相对于所述反应原料液的体积Va(mL)之比(Vb/Va)为0.200～1.50。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
在所述粒子生成工序中，所述区段化反应原料液流的流路的截面的直径为0.10～10.0mm。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述反应原料液送出工序中的所述反应原料液的体积流量为10μL/分～1.0L/分。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述目标产物粒子的粒径为1～100nm。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述反应原料液含有核粒子或核/壳结构的粒子制造中的中间体粒子，所述目标产物粒子为核/壳结构的粒子。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述目标产物粒子为半导体微小粒子。
11.根据权利要求10所述的粒子的制造方法，其中，
所述半导体微小粒子含有In及P。
12.根据权利要求1～9中任一项所述的粒子的制造方法，其中，
所述目标产物粒子为金属粒子。
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