[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置具备：负极金属板(40)，与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30)，在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70)，在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接，发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接，发射极电极与输出金属板电连接，并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。

关联申请的相互参照

本申请基于2019年3月19日申请的日本专利申请第2019－51427号，这里引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，作为半导体装置的一例而有电路装置。该电路装置具有使正极侧电极与负极侧电极层叠的构造。此外，电路装置为了使正极侧电极与负极侧电极层叠而使中间电极层叠于正极侧电极及负极侧电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4564937号公报

发明内容

电路装置通过使正极侧电极与负极侧电极层叠而能够期待布线的电感的减小。但是，电路装置由于除了正极侧电极及负极侧电极以外还层叠有中间电极，所以体积变大。

本发明的目的在于提供能够减小电感并且抑制体积变大的半导体装置。

根据本发明的第一技术方案，半导体装置具备：第1半导体元件；第2半导体元件，与第1半导体元件串联连接；第1端子；第2端子，在与第1端子之间流过电流；第1金属板，与第1半导体元件及第2半导体元件双方对置配置，与第2端子电连接；第2金属板，在与第1金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与第1金属板对置配置，与第1端子电连接；以及第3金属板，在与第1金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与第1金属板对置配置。第2半导体元件的第3金属板侧的电极与第3金属板电连接，第1金属板侧的电极与第1金属板电连接。第1半导体元件的第2金属板侧的电极与第2金属板电连接，第1金属板侧的电极与第3金属板电连接，并且第1半导体元件通过绝缘体而与第1金属板在电绝缘的状态下热连接。

这样，根据本发明的第一技术方案，从第1端子向第2端子、或从第2端子向第1端子流过电流。在前者的情况下，形成以第1端子、第2金属板、第1半导体元件、第3金属板、第2半导体元件、第1金属板、第2端子的顺序流过电流的电流路径。在后者的情况下，形成以第2端子、第1金属板、第2半导体元件、第3金属板、第1半导体元件、第2金属板、第1端子的顺序流过电流的电流路径。

并且，从第2金属板向第3金属板的电流路径与第1金属板的电流路径对置配置，电流的朝向为相反朝向。

由此，在从第1端子到第2端子的电流路径中，能够增加电流路径对置配置且电流的朝向为相反朝向的区间，能够减小布线的电感。进而，由于能够不使用中间电极而减小电感，所以能够抑制体积变大。

根据本发明的第二技术方案，半导体装置具备：第1半导体元件；第2半导体元件，与第1半导体元件串联连接；第1端子；第2端子，在与第1端子之间流过电流；第1金属板，与第1半导体元件及第2半导体元件双方对置配置，与第1端子电连接；以及第2金属板，在与第1金属板之间配置有第1半导体元件和第2半导体元件的状态下，与第1半导体元件及第2半导体元件双方对置配置。第1半导体元件的第2金属板侧的电极与第2金属板电连接，第1金属板侧的电极与第1金属板电连接，并且第1半导体元件经由正极金属板而与第1端子电连接。第2半导体元件的第2金属板侧的电极与第2金属板电连接，第1金属板侧的电极与第2端子电连接，并且第2半导体元件通过绝缘体而与第1金属板在电绝缘的状态下热连接。