[发明专利]平板低旁瓣二维可调的漏波平面阵列天线有效
| 申请号: | 202080021633.4 | 申请日: | 2020-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN113646969B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 森格利·福 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01Q13/20 | 分类号: | H01Q13/20;H01Q3/36;G02F1/13 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平板 低旁瓣 二维 可调 平面 阵列 天线 | ||
1.一种天线,其特征在于,所述天线包括:
复合左右手(composite right-and left-handed,CRLH)超材料天线阵列,用于辐射射频(radio-frequency,RF)波束方向图,其中,所述CRLH超材料天线阵列包括:
多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元,其中,所述第一行天线振子单元和第二行天线振子单元中的一行天线振子单元控制以左手辐射模式工作,所述第一行天线振子单元和第二行天线振子单元中的另一行天线振子单元控制以右手辐射模式工作,所述多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元用于沿第一轴传播辐射方向图;
所述多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元分别包括具有可控介电值的液晶体和至少一个接地隔离片,其中,所述至少一个接地隔离片配置为虚拟接地线,以实现用于控制所述液晶体的所述介电值的电位差;
设置在中心位置上的多个RF输入端口;
双通道中心馈电网络结构,通信地耦合到所述多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元以及所述多个RF输入端口,以形成所述RF波束方向图,其中,所述中心馈电网络结构包括:
复合左右手(composite right-and left-handed,CRLH)超材料、具有可控介电值的液晶体和配置为虚拟接地线的至少一个接地隔离片;
覆盖所述中心馈电网络结构顶侧的金属顶部外壳;
其中,所述双通道中心馈电网络结构用于将反相信息按顺序提供给所述多个RF输入端口中的每个RF输入端口,使得所述第一行天线振子单元和第二行天线振子单元中的一行天线振子单元被控制以左手辐射模式工作,所述第一行天线振子单元和第二行天线振子单元中的另一行天线振子单元被控制以右手辐射模式工作。
2.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,所述多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元间隔工作波长的四分之一或二分之一的距离。
3.根据权利要求1或2所述的天线,其特征在于,所述多个RF输入端口中的每个RF输入端口用于通信地耦合到所述多个成对的第一行天线振子单元和第二行天线振子单元的相应部分。
4.根据权利要求1或2所述的天线,其特征在于,所述双通道中心馈电网络结构包括第一双通道中心馈电网络和第二双通道中心馈电网络,其中,所述第一和第二双通道中心馈电网络的每个通道通信地耦合到所述多个RF输入端口中的一个RF输入端口。
5.根据权利要求4所述的天线,其特征在于,所述第一和第二双通道中心馈电网络的每个通道用于将交替的反相信息按顺序提供给所述多个耦合的RF输入端口中的每个RF输入端口。
6.根据权利要求1或2所述的天线,其特征在于,所述双通道中心馈电网络结构用于将预定的控制电压施加到所述第一行天线振子单元和第二行天线振子单元上,以控制所述形成的RF波束方向图的方向。
7.根据权利要求6所述的天线,其特征在于,所述双通道中心馈电网络结构将低电平控制电压施加到以所述右手辐射模式工作的各行天线振子单元上,以沿方向角控制所述形成的RF波束方向图。
8.根据权利要求7所述的天线,其特征在于,所述双通道中心馈电网络结构将高电平控制电压施加到以所述左手辐射模式工作的各行天线振子单元上,以沿方向角控制所述形成的RF波束方向图。
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