[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置的制造方法及支撑片的制造方法

说明书

本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)在利用多个针或具有平坦的前端面的部件从基材膜侧上推支撑片的状态下拾取支撑片的工序。

技术领域

本发明涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板；第一芯片，配置在基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑并且配置成覆盖第一芯片。另外，本发明涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造中所使用的支撑片的制造方法。另外，支石墓(dolmen)是石墓的一种，具备多个支柱石及载置在其上的板状的岩石。在具有支石墓结构的半导体装置中，支撑片相当于“支柱石”，第二芯片相当于“板状的岩石”。

背景技术

近年来，在半导体装置的领域，要求高集成、小型化以及高速化。作为半导体装置的一方式，在配置于基板上的控制器芯片上层叠半导体芯片的结构受到关注。例如专利文献1公开了一种半导体晶粒组件，该半导体晶粒组件包括控制器晶粒、以及在控制器晶粒上由支撑部件支撑的存储器晶粒。专利文献1的图1A所示的半导体组件100可谓是具有支石墓结构。即，半导体组件100包括封装基板102、配置在封装基板102表面上的控制器晶粒103、配置在控制器晶粒103上方的存储器晶粒106a、106b、以及支撑存储器晶粒106a的支撑部件130a、130b。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特表2017-515306号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

专利文献1公开了作为支撑部件(支撑片)，能够使用硅等半导体材料，更具体而言，能够使用切割半导体晶圆而得到的半导体材料的断片(参考专利文献1的[0012]、[0014]及图2)。为了使用半导体晶圆制造支石墓结构用的支撑片，与普通的半导体芯片的制造同样，例如需要以下的各工序。

(1)在半导体晶圆上贴附背面研磨带(back grind tape)的工序；

(2)背面研磨半导体晶圆的工序；

(3)对切割环与配置在其中的背面研磨后的半导体晶圆贴附具有压敏胶粘层及粘合剂层的膜(切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型膜)的工序；

(4)从半导体晶圆剥离背面研磨带的工序；

(5)将半导体晶圆单片化的工序；

(6)从压敏胶粘层拾取由半导体芯片与粘合剂片的层叠体形成的支撑片的工序。

本发明提供一种支撑片的制造方法，其能够有效率地制造具有支石墓结构的半导体装置的制造中所使用的支撑片，进而可有助于半导体装置的生产效率的提高。另外，本发明提供一种使用所述支撑片来有效地制造具有支石墓结构的半导体装置的方法。

用于解决技术课题的手段

本发明的一个方面是涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造中所使用的支撑片的制造方法。

本发明的制造方法的第一方式包括以下的工序。

(A)准备依次具备基材膜、压敏胶粘层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；

(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及

(C)在通过多个针从基材膜侧上推支撑片的状态下拾取支撑片的工序，

所述支撑片形成用膜为以下的膜中的任一种。