[发明专利]红外LED元件

权利要求书

1.一种红外LED元件，其特征在于，

具有：

基板，包含InP，n型掺杂剂浓度为1×10¹⁷/cm³以上、小于3×10¹⁸/cm³；

第一半导体层，形成在上述基板的上层，呈现n型；

活性层，形成在上述第一半导体层的上层；

第二半导体层，形成在上述活性层的上层，呈现p型；

第一电极，形成在上述基板的面中的与形成有上述第一半导体层的一侧相反侧的第一面上；以及

第二电极，形成在上述第二半导体层的上层，当从与上述基板的面正交的第一方向观察时，仅形成在上述第二半导体层的面的一部分区域中；

主要的发光波长呈现1000nm以上。

2.如权利要求1所述的红外LED元件，其特征在于，

关于上述第一方向，上述基板的厚度相对于上述第二半导体层的厚度为10倍以上。

3.如权利要求1或2所述的红外LED元件，其特征在于，

上述基板的厚度为150μm以上、400μm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的红外LED元件，其特征在于，

上述第二电极仅形成在上述第二半导体层的面的一部分区域中；

关于上述第一方向，没有形成上述第二电极的区域的至少一部分与形成有上述第一电极的区域的至少一部分对置。

5.如权利要求1～4中任一项所述的红外LED元件，其特征在于，

上述第二电极具有呈在上述第二半导体层的面上向不同的方向延伸的栅格形状或梳子形状的多个部分电极；

邻接的上述部分电极彼此的离开距离为100μm以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的红外LED元件，其特征在于，

上述基板的掺杂剂包含Sn。