[发明专利]负极极片、电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极极片，包括：

集流体；

活性材料层，位于所述集流体上，其中，所述活性材料层包括硅基材料和碳材料；

保护层，所述保护层包括M元素，其中，所述活性材料层设置在所述集流体和所述保护层之间，当在一个或多个任意位置处将所述保护层划分为两层或更多层时，远离所述集流体的层的M元素的质量含量大于靠近所述集流体的层的M元素的质量含量，M元素包括Al、Ti、Mg、Ru、Zr、Hf、Nb、Ca、Zn或Ce中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层中的M元素的含量随着远离所述集流体而逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层包括第一材料，所述第一材料包括Al₂O₃、TiO₂、MgO、RuO₂、AlF₃、CaF₂、MgF₂、ZnF₂或CeO₂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层的厚度为0.1nm至10nm。

5.根据权利要求3所述的负极极片，其中，在单位面积内，所述第一材料的质量与所述活性材料层的质量的比小于5％。

6.根据权利要求3所述的负极极片，其中，在单位面积内，所述第一材料的质量与所述活性材料层的质量的比小于2％。

7.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极极片的孔隙率为15％至25％。

8.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极极片满足以下条件中的至少一个：

所述活性材料层中的所述硅基材料的质量百分比为5％至60％；

所述硅基材料包括硅氧材料、硅碳材料或硅合金中的至少一种；

所述碳材料包括石墨。

9.根据权利要求1所述的负极极片，还包括锂金属层，所述锂金属层设置在所述保护层的远离所述活性材料层的一侧。

10.一种电化学装置，包括：

正极极片；

负极极片；

隔离膜，设置于所述正极极片和所述负极极片之间；

其中，所述负极极片为根据权利要求1至9中任一项所述的负极极片。

11.一种电子装置，其包括根据权利要求10所述的电化学装置。