[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法、光电转换元件、摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其包括：

有机光电转换元件，其包括至少两个电极，其中，

在所述两个电极之间布置有有机光电转换层，

所述有机光电转换层包含至少第一有机半导体、第二有机半导体和第三有机半导体，

所述第一有机半导体包括具有吸收蓝光的特性的半导体，

所述第二有机半导体包括具有吸收蓝光的特性并且具有作为具有结晶性的空穴输送材料的特性的半导体，并且

所述第三有机半导体包括富勒烯衍生物。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

所述有机光电转换层对作为在400nm～500nm附近的波段内的光的蓝光的吸收强，并且对作为在500nm～600nm附近的波段内的光的绿光和作为在600nm～700nm附近的波段内的光的红光的吸收弱。

3.根据权利要求2所述的固态摄像元件，其中，

所述有机光电转换层对所述蓝光的吸收系数大于40,000cm^-1，对所述蓝光的吸收率大于80％，对所述绿光和所述红光的吸收系数小于10,000cm^-1，并且对所述绿光和所述红光的吸收率小于20％。

4.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

所述第一有机半导体对作为在400nm～500nm附近的波段内的光的蓝光的吸收强，并且对作为在500nm～600nm附近的波段内的光的绿光和作为在600nm～700nm附近的波段内的光的红光的吸收弱。

5.根据权利要求4所述的固态摄像元件，其中，

所述第一有机半导体对所述蓝光的吸收系数大于40,000cm^-1，并且对所述绿光和所述红光的吸收系数小于10,000cm^-1。

6.根据权利要求5所述的固态摄像元件，其中，

所述第一有机半导体包括：联吡咯甲烷、氮杂联吡咯甲烷、联吡啶、氮杂联吡啶、香豆素、苝、芘、萘二亚胺、呫吨、呫吨并呫吨、吩噁嗪、靛蓝、偶氮噁嗪、苯并二噻吩、萘并二噻吩、蒽并二噻吩、蒽、并四苯、蒽醌、四醌、二萘并噻吩并噻吩、低聚噻吩、花菁、角鲨烯、卟啉、酞菁、由下述化学式(2)表示的物质或由下述化学式(7)表示的物质，

或联吡咯甲烷的衍生物、氮杂联吡咯甲烷的衍生物、联吡啶的衍生物、氮杂联吡啶的衍生物、香豆素的衍生物、苝的衍生物、芘的衍生物、萘二亚胺的衍生物、呫吨的衍生物、呫吨并呫吨的衍生物、吩噁嗪的衍生物、靛蓝的衍生物、偶氮噁嗪的衍生物、苯并二噻吩的衍生物、萘并二噻吩的衍生物、蒽并二噻吩的衍生物、蒽的衍生物、并四苯的衍生物、蒽醌的衍生物、四醌的衍生物、二萘并噻吩并噻吩的衍生物、低聚噻吩的衍生物、花菁的衍生物、角鲨烯的衍生物、卟啉的衍生物、酞菁的衍生物、由所述化学式(2)表示的物质的衍生物或由所述化学式(7)表示的物质的衍生物：

[化学式1]

[化学式2]

7.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

所述第二有机半导体对作为在400nm～500nm附近的波段内的光的蓝光的吸收强，对作为在500nm～600nm附近的波段内的光的绿光和作为在600nm～700nm附近的波段内的光的红光的吸收弱，所述第二有机半导体是空穴输送材料，并且所述第二有机半导体通过面外X射线测量显示出结晶性峰值。

8.根据权利要求7所述的固态摄像元件，其中，

所述第二有机半导体对所述蓝光的吸收系数大于40,000cm^-1，对所述绿光和所述红光的吸收系数小于10,000cm^-1，所述第二有机半导体具有1E-6cm^-2/Vs以上的空穴迁移率，所述第二有机半导体是HOMO能级为5.3eV～6.2eV的空穴输送材料，并且所述有机光电转换层通过面外X射线测量在与所述第二有机半导体的单膜的通过面外X射线测量得到的结晶性峰值的位置等同的位置处具有结晶性峰值。