[发明专利]电容器及其制造方法

说明书

电容器100包括硅衬底1、导体层2和电介质层3。硅衬底1包括：具有电容产生区域11和非电容产生区域12的主表面10；和在电容产生区域11中沿厚度方向设置的多孔部13。导体层2包括覆盖电容产生区域11的表面110的至少一部分的表面层部21和填充多孔部13的细孔130的至少一部分的填充部22。电介质层3插入在细孔130的内表面和填充部22之间。

技术领域

本公开涉及电容器以及用于制造所述电容器的方法。本公开具体地涉及包括硅衬底、电介质层和导体层的电容器以及用于制造所述电容器的方法。

背景技术

专利文献1公开了一种电子装置，所述电子装置包括通过在采用诸如蚀刻之类的方法在衬底中形成的沟槽中交替提供导电层和电介质层而形成的沟槽式电容器。在专利文献1的电子装置中，衬底具有大量沟槽式电容器以提高电容值(静电电容)。

然而，在专利文献1的电子装置中，在一些情况下不能令人满意地提高静电电容。

引用清单

专利文献

专利文献1：JP 2009-515353 A

发明概述

本公开的一个目的是提供一种具有容易提高的静电电容的电容器以及提供一种用于制造所述电容器的方法。

根据本公开的一个方面的电容器包括硅衬底、导体层和电介质层。硅衬底具有包括电容产生区域和非电容产生区域的主表面，并且硅衬底在电容产生区域中具有沿厚度方向设置的多孔部。导体层具有至少覆盖电容产生区域的表面的一部分的表面层部和填充在所述多孔部的细孔的至少一部分中的填充部。电介质层设置在细孔的内表面和填充部之间。

用于制造根据本发明的一个方面的电容器的方法包括：在硅衬底的非电容产生区域上提供掩蔽层的步骤，所述硅衬底具有包括电容产生区域和非电容产生区域在内的主表面。用于制造所述电容器的方法包括：通过阳极氧化过程，通过在未被掩蔽层覆盖的电容产生区域中形成细孔，从而在电容产生区域中在硅衬底的厚度方向上形成多孔部的步骤。用于制造所述电容器的方法还包括：在细孔的内表面上形成电介质层的步骤。用于制造所述电容器的方法还包括：形成包括填充在细孔的至少一部分中的填充部和至少覆盖电容产生区域的表面的一部分的表面层部的导体层。

附图简述

图1A是示意性示出根据本公开的一个实施方案的电容器的一个示例的透视图；

图1B是示出图1A的电容器的主要部分的放大图；

图2A至图2D是示意性示出用于制造根据本公开的实施方案的电容器的方法的一个示例的透视图；

图3A至图3C是示意性示出用于制造根据本公开的实施方案的电容器的方法的示例的透视图；

图4是示意性示出用于制造根据本公开的实施方案的电容器的方法的示例的透视图；

图5A至图5E是示意性示出用于制造根据本公开的实施方案的电容器的方法的示例的透视图；

图6A是示出在阳极氧化过程后的硅衬底的主要部分的放大图；

图6B是示出在热氧化过程后的硅衬底的主要部分的放大图；

图6C是示出在氧化物去除后的硅衬底的主要部分的放大图；

图6D是示出在电介质层形成后的硅衬底的主要部分的放大图；

图7A是在阳极氧化过程后通过用扫描电子显微镜(SEM)拍摄硅衬底的主要部分的图像得到的照片(放大倍数：3000)；

图7B是在第二多孔部去除后通过用SEM拍摄硅衬底的主要部分的图像得到的照片(放大倍数：3000)；