[发明专利]半导体处理设备中的稀有气体的收集及再循环

权利要求书

1.一种系统，其包括：

处理腔室，其使用氙气及/或氪气；及

回收单元，其与所述处理腔室流体连通，其中所述回收单元包含：

混合槽，其经由气体排放管线与所述处理腔室流体连通；

第一柱体，其与所述混合槽流体连通；

第二柱体，其与所述混合槽流体连通；

第一存储槽，其与所述第一柱体及所述处理腔室流体连通；

第二存储槽，其与所述第二柱体及所述处理腔室流体连通；

第一气体供应管线，其将所述第一存储槽连接到所述处理腔室；

第二气体供应管线，其将所述第二存储槽连接到所述处理腔室；

第一回送管线，其将所述第一气体供应管线连接到所述气体排放管线；及

第二回送管线，其将所述第二气体供应管线连接到所述排放管线。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体排放管线包含真空泵。

3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括压缩泵，其与所述混合槽、所述第一柱体及所述第二柱体流体连通。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述回收单元使用变压吸附、真空变压吸附、变温吸附、低温蒸馏或薄膜分离中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述回收单元为具有所述处理腔室的闭合回路系统。

6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括多个处理腔室，其与所述气体排放管线、所述第一气体供应管线及所述第二气体供应管线流体连通，其中所述处理腔室中的每一者按不同气体供应流速操作。

7.一种方法，其包括：

使用处理气体在处理腔室中处理半导体晶片，其中所述处理气体包含稀有气体及缓冲气体；

经由气体排放管线将所述处理气体从所述处理腔室泵抽到混合槽；

将所述处理气体从所述混合槽泵抽到第一柱体及第二柱体；

在所述第一柱体及所述第二柱体中分离所述处理气体；

将所述缓冲气体从所述第一柱体输送到第一存储槽；

将所述稀有气体从所述第二柱体输送到第二存储槽；及

将所述缓冲气体从所述第一存储槽输送到所述处理腔室且将所述稀有气体从所述第二存储槽输送到所述处理腔室。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述稀有气体包含氙气或氪气中的至少一者，且其中所述缓冲气体包含氩气、氖气、氧气、氮气或氢气中的至少一者。

9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括使所述稀有气体中的至少一些从所述第二气体供应管线转向到所述气体排放管线而非所述处理腔室。

10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括使所述缓冲气体中的至少一些从所述第一气体供应管线转向到所述气体排放管线而非所述处理腔室。

11.根据权利要求7所述的方法，其中将所述处理气体从所述处理腔室泵抽到所述混合槽使用真空泵，且其中将所述处理气体从所述混合槽泵抽到所述第一柱体及所述第二柱体使用压缩泵。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述分离使用变压吸附、真空变压吸附、变温吸附、低温蒸馏或薄膜分离中的至少一者。

13.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法在闭合系统中执行。

14.根据权利要求7所述的方法，其中从所述第二存储槽输送所述稀有气体按可变流速进行，而所述分离按恒定流量条件操作。