[发明专利]用于向植入式输注装置提供治疗剂的方法和系统在审
申请号: | 202080017361.0 | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN113453736A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | B·劳德米尔克;M·泽伦森 | 申请(专利权)人: | 贝朗米思柯有限两合公司 |
主分类号: | A61M5/142 | 分类号: | A61M5/142;A61M5/32;A61M39/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜;张一舟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 植入 式输注 装置 提供 治疗 方法 系统 | ||
1.一种能植入的输注装置,其包括:
壳体;
布置在所述壳体内的再填充室,所述再填充室能通过再填充端口进入;
设置在所述再填充端口处的自密封外部隔膜,其形成所述再填充室中的上部室的进入开口;
在所述外部隔膜下方设置在所述再填充室内的自密封内隔膜,其将所述上部室与下部室分开;
布置在所述再填充室处的传感器;和
处理器,其操作地连接到所述传感器并且配置为,响应于从所述传感器接收的信号,检测针在所述再填充室中的存在并且将针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联。
2.如权利要求1所述的能植入的输注装置,
其还包括布置在所述再填充室处的第二传感器,
其中,所述处理器配置为,响应于从所述传感器和从所述第二传感器接收的信号,检测针在所述再填充室中的存在并且将所述针开口的所述位置与所述下部室或所述上部室相关联,
其中,特别地,所述第二传感器是磁场传感器,优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器,其邻近所述再填充室布置在所述壳体内。
3. 如权利要求1或2所述的能植入的输注装置,
其中,所述传感器是磁场传感器,优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器,其邻近所述再填充室布置在所述壳体内,并且
其中,所述处理器配置为,响应于从所述磁场传感器接收的信号,检测针在所述再填充室中的存在,并且通过评估所述磁场传感器处的磁场的定向和/或强度,将针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联,或者
其中,所述传感器是布置在所述再填充室的底部处的接触传感器。
4.如权利要求1至3中的一项所述的能植入的输注装置,
其还包括操作地连接到所述处理器的无线发射器,
其中,所述处理器配置为将关于所述针开口的所述位置与所述下部室或所述上部室的关联的信号传输到外部装置。
5.一种用于再填充能植入的输注装置的系统,其包括:根据权利要求3所述的能植入的输注装置,所述能植入的输注装置包括
布置在所述再填充室内的上部室,所述上部室能通过设置在所述再填充端口处的自密封外部隔膜进入,
布置在所述再填充室内的下部室,所述下部室通过设置在所述再填充室内的自密封内隔膜与所述上部室分开,
磁场传感器,优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器,其设置在距所述再填充室的底部大约dsensor的距离处,和
操作地连接到所述磁场传感器的处理器;
再填充针,其包括
从近侧端部到远侧端部延伸的细长主体,所述细长主体包括布置在距所述远侧端部大约dmagnet的距离处的磁性部分,
与所述近侧端部流体连接的针开口,所述针开口布置在距所述细长主体的所述远侧端部一距离处;和
与所述能植入的输注装置无线通信的用户界面装置,
其中,dsensor相对于dmagnet定位,
其中,所述处理器配置为,响应于从所述磁场传感器接收的信号,将所述针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联,并且
其中,所述用户界面装置配置为指示在所述上部室或所述下部室中所述针开口的所述位置,
其中,所述处理器优选地配置为,如果所述磁场传感器检测到具有高于下限阈值的场强的磁场,则辨别正确插入的针,并且
其中,所述处理器还优选地配置为,根据所述磁性部分中的磁场的定向和/或强度,将所述针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联。
6.如权利要求5所述的系统,
其还包括填充有治疗剂的再填充容器,所述再填充容器不可分离地连接在所述细长主体的所述近侧端部处。
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