[发明专利]包括多个单太赫茲磁振子激光器的太赫茲磁振子产生器

权利要求书

1.一种用于产生可调式太赫茲辐射的设备，包括：

多个太赫茲磁振子激光产生器；

至少一个该太赫茲磁振子激光产生器包括：

基板；

底部电极，耦合至该基板；以及

多层柱，耦合至该底部电极；以及

太赫茲透明介质，用以将至少两个该太赫茲磁振子激光产生器分开，

其中，至少一个该太赫茲磁振子激光产生器配置成产生太赫茲辐射信号；

且其中，该设备配置成发射该太赫茲辐射信号，而该太赫茲辐射信号配置成通过该太赫茲透明介质进行传播。

2.如权利要求1所述的设备，其中，至少一个该多层柱还包括：

底层，耦合至该底部电极；该底层还包括磁振子增益介质；

穿隧结，耦合至该底层；

顶层，耦合至该穿隧结；该顶层包括电子注入器；以及

顶部电极，耦合至该顶层。

3.如权利要求1所述的设备，其中，至少一个该多层柱还包括：

底层，耦合至该底部电极；该底层还包括磁振子增益介质；

穿隧结，耦合至该底层；

顶层，耦合至该穿隧结；该顶层包括自旋注入器；

钉扎层，耦合至该自旋注入器；以及

顶部电极，耦合至该钉扎层。

4.如权利要求2所述的设备，其中，该底层还包括选自由以下组成的群组的铁磁材料：

铁磁半导体；稀磁半导体(DMS)；半金属铁磁体(HMF)；以及铁磁导体，在该铁磁材料的费米能级周围的少数电子的状态密度中存在间隙。

5.如权利要求4所述的设备，其中，该半金属铁磁体(HMF)选自由以下组成的群组：

自旋极化的何士勒合金；自旋极化的巨磁阻材料；以及CrO₂。

6.如权利要求5所述的设备，其中，该自旋极化的何士勒合金选自由以下组成的群组：

半金属铁磁氧化物Sr₂FeMoO₆；何士勒合金Co₂MnGe；何士勒合金Co₂MnSi(CMS)；何士勒合金Co₂FeSi(CFS)；何士勒合金Co₂MnSn；以及何士勒合金Co₂FeAl_0.5Si_0.5(CFAS)。

7.如权利要求2所述的设备，其中，该穿隧结选自由以下组成的群组：

氧化镁(MgO)；氧化铝(Al₂O₃)；以及尖晶石MgAl₂O₄。

8.如权利要求3所述的设备，其中，该自旋注入器选自由以下组成的群组：

半金属；以及铁磁合金。

9.如权利要求3所述的设备，其中，该钉扎层还包括：

反铁磁钉扎层，选自由以下材料组成的群组：

铱锰铬(IrMnCr)；铱锰(IrMn)；镍锰(NiMn)；镍锰铬(NiMnCr)；镍锰铁(NiMnFe)；镍锰铱(NiMnIr)；镍锰钯(NiMnPd)；镍锰铂(NiMnPt)；镍锰铑(NiMnRh)；铂锰(PtMn)；以及镍锰钌(NiMnRu)。

10.如权利要求3所述的设备，其中，该钉扎层还包括：

Ruderman–Kittel–Kasuya–Yosida(RUDERMAN–KITTEL–KASUYA–YOSIDA(RKKY))非磁性钉扎层。

11.如权利要求12所述的设备，其中，该基板选自由以下材料组成的群组：

砷化镓(GaAs)；氧化铝(Al₂O₃)；氮化铝(AlN)；氧化铟锡(InTnO)；硅(Si)；蓝宝石上硅(SoS)；以及氧化镁(MgO)。