[发明专利]利用蚀刻腔室的蚀刻装置

说明书

本发明涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其包括：蚀刻液存储腔室，该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液；连接部，该连接部与蚀刻液存储腔室连通；蚀刻腔室，该蚀刻腔室通过该连接部而与蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物；及加压维持部，该加压维持部使蚀刻液存储腔室与蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。

技术领域

本发明涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置，更详细而言，涉及一种能够提高蚀刻性能的利用蚀刻腔室的蚀刻装置。

背景技术

硅氮化膜在半导体制程用作代表性的绝缘膜。硅氮化膜构成与硅氧化膜、多晶硅膜、硅晶片表面等接触的结构，借助于CVD(Chemical vapor deposition：化学气相沉积)过程而沉积，其通过干式蚀刻及湿式蚀刻而去除。

干式蚀刻主要加入氟类气体及惰性气体等，在真空状态下进行，用于执行干式蚀刻的装备价格昂贵，因而在商业应用方面存在界限。因此，利用磷酸的湿式蚀刻比干式蚀刻应用更广泛。具体而言，湿式蚀刻是借助于蚀刻液的化学反应而选择性地在物件体(基板等)中蚀刻希望的物件层，可以根据要求的特性或蚀刻度等，简便地混合组成具有与此相符的配比的蚀刻液而进行作业，提供比干式蚀刻进一步提高的作业相容性。另外，一次可以处理大量的物件体，装置的价格低廉。但是，湿式蚀刻在进行蚀刻时，由于蚀刻液的一部分气化，物件体的温度会因气化热下降，且由于蚀刻液的气化，蚀刻液的浓度控制困难，因而发生CD损失。因此，为了固定地维持该蚀刻液的浓度，目前是将大量的去离子水及蚀刻液投入蚀刻槽而执行物件体的蚀刻，但此时，由于投入大量的去离子水及蚀刻液，经济上的损失大。

因此，本发明人在为了固定地保持该蚀刻液的浓度而进行研究的期间发现，当对蚀刻液存储腔室及/或蚀刻腔室加压时，可以防止蚀刻液的气化现象，使蚀刻液的浓度维持固定，因而针对硅氧化膜的硅氮化膜选择比会显著提高，从而完成了本发明。

与此相关联，韩国授权专利第10-0691479号(授权公告日：2007年3月12日)公开了大面积基板的蚀刻装置。

发明内容

[技术问题]

本发明提供一种能够提高蚀刻性能的利用蚀刻腔室的蚀刻装置。

[技术方案]

本发明的利用蚀刻腔室的蚀刻装置包括：蚀刻液存储腔室，该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液；连接部，该连接部与该蚀刻液存储腔室连通；蚀刻腔室，该蚀刻腔室通过该连接部而与该蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物；及加压维持部，该加压维持部使该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。

另外，该加压维持部可以包括调节该蚀刻液存储腔室的压力的第一加压维持部及调节该蚀刻腔室的压力的第二加压维持部中的至少一个。

另外，该第一加压维持部可以具备：第一加压部，该第一加压部使该蚀刻液存储腔室维持在设定的压力；温度控制部，该温度控制部控制该蚀刻液存储腔室内部的温度；及第一排气部，该第一排气部使该蚀刻液存储腔室内部的气体排出到外部。

另外，该第二加压维持部可以具备：第二加压部，该第二加压部使该蚀刻腔室维持在设定的压力；及第二排气部，该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。

另外，该第二排气部可以使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部而与该蚀刻液存储腔室的内部产生压力差异。

另外，该连接部可以具备：蚀刻液移动部，该蚀刻液移动部供蚀刻液从该蚀刻液存储腔室移动到该蚀刻腔室；选择性切断部，该选择性切断部配置于该蚀刻液移动部，选择性地切断该蚀刻液移动部；及蚀刻液供应部，该蚀刻液供应部促进该蚀刻液的移动。

另外，该蚀刻腔室可以具备：托架，该托架供该目标物安装；及蚀刻性能提高部，该蚀刻性能提高部配置于该托架，提高该物件体的蚀刻性能。

另外，该蚀刻腔室可以具备在内部形成有容纳部的杯部，该托架可以在该杯部的上部可旋转地配置。