[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，对在基板上形成有交替层叠绝缘膜和含金属的被处理膜的多层膜的晶片进行所述被处理膜的等离子蚀刻，

所述等离子处理装置的特征在于，具有：

配置于真空容器内的处理室；

配置于所述处理室内且载置所述晶片的样品台；

检测对所述晶片照射的光在所述晶片反射的反射光的检测部；

控制对所述晶片的等离子处理的控制部；和

基于所述反射光的光谱的波长方向的振动的振幅的变化来判定对所述被处理膜的蚀刻的终点的终点判定部，

所述控制部接受所述终点判定部所进行的终点的判定来停止对所述晶片的等离子处理。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置具有：

光源；和

配置于所述处理室的顶板面的第1透镜以及第2透镜，

来自所述光源的光经过所述第1透镜照射到所述晶片，在所述第2透镜受光的所述反射光由所述检测部检测。

3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述控制部在所述处理室内未产生等离子的定时使来自所述光源的光照射到所述晶片。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置具有：

配置于所述处理室的顶板面的透镜，

将来自所述处理室内所产生的等离子的光照射到所述晶片，在所述透镜受光的所述反射光由所述检测部检测。

5.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述终点判定部在第1波长下的所述反射光的强度与第2波长下的所述反射光的强度的强度比成为给定的设定值以上时，判定对所述被处理膜的蚀刻的终点，

所述第1波长以及所述第2波长分别设定为成为所述反射光的光谱的波长方向的振动的峰以及谷的波长。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述终点判定部在第1波长下的所述反射光的强度与第2波长下的所述反射光的强度之差成为给定的设定值以上时，判定对所述被处理膜的蚀刻的终点，

所述第1波长以及所述第2波长分别设定为成为所述反射光的光谱的波长方向的振动的峰以及谷的波长。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述终点判定部算出将所述反射光的光谱在波长方向上进行了1次微分处理或2次微分处理的微分光谱，基于所述微分光谱的波长方向的振动的振幅的变化来判定对所述被处理膜的蚀刻的终点。

8.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述终点判定部算出所述反射光的光谱的功率谱，在与所述反射光的光谱的波长方向的振动的振动频率对应的所述功率谱的峰值成为给定的设定值以上时，判定对所述被处理膜的蚀刻的终点。

9.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述绝缘膜是氧化硅膜，所述被处理膜是钨膜。

10.一种等离子处理方法，使用等离子处理装置，对在基板上形成有交替层叠绝缘膜和含金属的被处理膜的多层膜的晶片进行所述被处理膜的等离子蚀刻，

所述等离子处理装置具备：

配置于所述真空容器内的处理室；

配置于所述处理室内且载置晶片的样品台；

光检测部；

控制对所述晶片的等离子处理的控制部；和

判定对所述晶片的等离子蚀刻的终点的终点判定部，

所述等离子处理方法的特征在于，

所述光检测部检测照射到所述晶片的光在所述晶片反射的反射光，

所述终点判定部基于所述反射光的光谱的波长方向的振动的振幅的变化来判定对所述被处理膜的蚀刻的终点，

所述控制部接受所述终点判定部所进行的终点的判定来停止对所述晶片的等离子处理。