[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

设置于所述第一绝缘体与所述第一氧化物之间的第二绝缘体；

与所述第一绝缘体接触且所述第一氧化物的侧面接触的第二氧化物；以及

所述第一绝缘体、所述第二氧化物及所述第一氧化物上的第三绝缘体，

其中，所述第三绝缘体包括与所述第一氧化物的顶面接触的区域，

并且，所述第二绝缘体及所述第三绝缘体包含与所述第二氧化物相比不容易透过氧的材料。

2.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

设置于所述第一绝缘体与所述第一氧化物之间的第二绝缘体；

与所述第一绝缘体接触且所述第一氧化物的侧面接触的第二氧化物；

在所述第一氧化物上彼此分开设置的第一导电体及第二导电体；

所述第一绝缘体、所述第二氧化物及所述第一氧化物上的第三绝缘体；以及

所述第三绝缘体上的栅电极，

其中，所述栅电极包括与所述第一氧化物重叠的区域，

所述第三绝缘体包括与所述第一氧化物的顶面、所述第一导电体的侧面以及所述第二导电体的侧面接触的区域，

并且，所述第二绝缘体及所述第三绝缘体包含与所述第二氧化物相比不容易透过氧的材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述半导体装置包括第四绝缘体，

并且所述第四绝缘体设置于所述第三绝缘体与所述栅电极之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物包含铟、元素M(M为铝、镓、钇或锡)、锌。

5.根据权利要求至1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物包括被用作沟道形成区域的区域。

6.根据权利要求至1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物及所述第二氧化物包含相同的材料。

7.根据权利要求至1至6中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二氧化物具有结晶性，所述第二氧化物所包括的结晶的c轴朝向大致垂直于所述第一氧化物的侧面的方向。

8.根据权利要求至1至7中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二氧化物与所述第二绝缘体的侧面及所述第三绝缘体接触。

9.根据权利要求至1至8中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二绝缘体及所述第三绝缘体被用作氧阻挡膜。

10.根据权利要求至1至9中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二绝缘体和所述第三绝缘体中的至少一个包含氧化铝。