[发明专利]半导体激光装置以及半导体激光元件

权利要求书

1.一种半导体激光装置，具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件，所述半导体激光元件包括分离形成在基板上的第1发光元件区域和第2发光元件区域，

在所述半导体激光元件中，

所述第1发光元件区域以及所述第2发光元件区域分别具有层叠结构体，在该层叠结构体中，以一导电型半导体层、活性层、以及另一导电型半导体层的顺序来层叠，

所述第1发光元件区域具有被配置在所述一导电型半导体层上的第1电极膜，

所述第2发光元件区域具有被配置在所述另一导电型半导体层上的第2电极膜，

所述第1电极膜与所述第2电极膜电连接。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置，

在所述第1发光元件区域与所述第2发光元件区域之间配置有分离区域，该分离区域使所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层与所述第2发光元件区域的所述一导电型半导体层隔开。

3.如权利要求2所述的半导体激光装置，

在所述第1发光元件区域的所述第1电极膜上被配置绝缘膜，

在对所述绝缘膜进行俯视时，所述绝缘膜被配置在与所述第1电极膜重叠的位置，所述第1电极膜位于所述分离区域以及所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层上。

4.如权利要求3所述的半导体激光装置，

所述第1发光元件区域的所述第1电极膜、以及所述第2发光元件区域的所述第2电极膜，完全由所述绝缘膜覆盖。

5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体激光装置，

所述第1发光元件区域具备：被配置在所述一导电型半导体层上的一导电型半导体层侧电极、以及被配置在所述另一导电型半导体层上的另一导电型半导体层侧电极，

在所述第1发光元件区域中，在所述一导电型半导体层侧电极与所述另一导电型半导体层侧电极之间被配置凸出部。

6.如权利要求1至5的任一项所述的半导体激光装置，

在所述基板上被配置有从所述基板凸出的凸出结构体，该凸出结构体与所述第2发光元件区域相邻，且位于与所述第1发光元件区域相反的一侧，

所述凸出结构体从所述基板的高度，与所述第2发光元件区域从所述基板的高度大致相同，

被配置在所述凸出结构体的表面的第3电极膜、与所述第2发光元件区域的所述一导电型半导体层电连接。

7.如权利要求6所述的半导体激光装置，

所述凸出结构体与所述第2发光元件区域相邻，且仅被配置在与所述第1发光元件区域相反的一侧。

8.如权利要求1至7的任一项所述的半导体激光装置，

所述半导体激光装置进一步具备底座，该底座具有搭载面，在该搭载面上形成有第1金属膜图案和第2金属膜图案，

在所述半导体激光元件中，所述第1发光元件区域和所述第2发光元件区域、与所述第1金属膜图案和所述第2金属膜图案分别接合。

9.如权利要求8所述的半导体激光装置，

所述半导体激光元件具有多个发光元件区域，该多个发光元件区域包括所述第1发光元件区域和所述第2发光元件区域，

所述底座具有多个金属膜图案，该多个金属膜图案包括所述第1金属膜图案和所述第2金属膜图案，

所述多个发光元件区域每一个与所述多个金属膜图案的每一个分别连接，

在所述多个发光元件区域为n个时，所述多个金属膜图案为n+1个。