[发明专利]固化物、固化物改性物和固化方法

说明书

本发明提供一种固化物，其是包含含有硅烷醇基且具有由硅氧烷键形成的环状结构的环状硅烷醇及其脱水缩合物的硅烷醇组合物的固化物，其中，在IR光谱中，在2600～3800cm^‑1观测到的源自SiO‑H伸缩的峰的面积相对于在960～1220cm^‑1观测到的源自Si‑O‑Si伸缩的峰的面积之比(SiO‑H伸缩/Si‑O‑Si伸缩面积比)为0.01以上。

技术领域

本发明涉及固化物、固化物改性物和固化方法。

背景技术

环状硅烷醇是含有硅烷醇基且具有由硅氧烷键形成的环状结构的化合物。包含这样的化合物、这样的化合物的脱水缩合物的固化性组合物用于发光二极管元件等半导体元件的保护、封装以及粘接中。另外，环状硅烷醇能够变更或调整由发光二极管元件发出的光的波长，用于透镜等用途中。

近年来报告了对结构进行了精密控制的环状硅烷醇。例如，非专利文献1中公开了一种全顺式体的四羟基四甲基四环硅氧烷。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Inorganic Chemistry Vol.49,No.2,2010

发明内容

发明所要解决的课题

本发明人发现，在对包含上述环状硅烷醇及其脱水缩合物的硅烷醇组合物的固化物照射光时，能够提高固化物中的羟基密度(硅烷醇基密度)，反应性优异。但是，在对于包含非专利文献1中公开的全顺式体的四羟基四甲基四环硅氧烷的固化性组合物的固化物照射光时，具有随着结构变化而产生裂纹的问题。

因此，本发明的目的在于提供光照射时的抗裂性优异的固化物。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，将包含环状硅烷醇和该环状硅烷醇的脱水缩合物的硅烷醇组合物按照在2600～3800cm^-1观测到的源自SiO-H伸缩的峰的面积相对于在960～1220cm^-1观测到的源自Si-O-Si伸缩的峰的面积之比((SiO-H伸缩/Si-O-Si伸缩面积比)为规定范围内的方式进行固化时，可得到光照射时的抗裂性优异的固化物。

另外发现，对于包含环状硅烷醇和该环状硅烷醇的脱水缩合物的硅烷醇组合物，在按照在拉曼光谱中在470cm^-1以上至600cm^-1的范围具有峰顶的方式使其固化时，可得到光照射时的抗裂性优异的固化物。

另外发现，对于包含环状硅烷醇和该环状硅烷醇的脱水缩合物的硅烷醇组合物，在按照硬度达到规定范围内的方式使其固化时，可得到光照射时的抗裂性优异的固化物。

发现对于包含环状硅烷醇和该环状硅烷醇的脱水缩合物的硅烷醇组合物按照膜厚达到规定范围内的方式进行固化时，可得到粘接性以及光照射时的抗裂性优异的固化物。

进一步发现下述固化物的抗裂性优异：其是包含由硅氧烷键形成的硅烷醇的脱水缩合物的固化物，其中，在IR光谱中，Si-OH伸缩振动的峰波数为940cm^-1以上960cm^-1以下，并且由“0.1*a+b”定义的官能团量(a、b分别为在将1030±40cm^-1的Si-O-Si伸缩振动的峰值高度规定为1的情况下，在920±50cm^-1观测到的Si-OH伸缩振动的峰值高度、在1270±10cm^-1观测到的Si-甲基伸缩振动的峰值高度)为0以上0.05以下。

即，本发明如下所述。

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