[发明专利]光检测装置和电子设备在审
| 申请号: | 202080013793.4 | 申请日: | 2020-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN113424450A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 大迫洋平;植野洋介;瀬上雅博 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03M1/56;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 装置 电子设备 | ||
1.一种光检测装置,包括:
第一像素,其被构造为生成第一像素信号;
参考信号生成部,其被构造为生成参考信号;和
第一转换部,其包括第一缓冲电路和第一比较电路且被构造为将所述第一像素信号转换为数字码,所述第一缓冲电路被构造为从输出端子输出与所述参考信号相对应的第一信号,并且所述第一比较电路被构造为基于所述第一像素信号和所述第一信号执行比较操作。
2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,
所述第一像素被构造为从输出端子输出所述第一像素信号,
并且所述第一比较电路包括:
第一晶体管,其具有栅极和漏极;
第一电容器,其具有:与所述第一缓冲电路的所述输出端子连接的第一端子、以及与所述第一晶体管的所述栅极连接的第二端子;
第二电容器,其具有:与所述第一像素的所述输出端子连接的第一端子、以及与所述第一晶体管的所述栅极连接的第二端子;
第一开关,其被构造为通过变成导通状态将所述第一晶体管的所述栅极和所述第一晶体管的所述漏极彼此连接;和
负载电路,其与所述第一晶体管的所述漏极连接。
3.根据权利要求2所述的光检测装置,其中,
所述第一晶体管具有与第一电源节点连接的源极,
并且所述负载电路包括第一负载晶体管,所述第一负载晶体管具有:被提供有预定电压的栅极、与所述第一晶体管的所述漏极连接的漏极、以及与第二电源节点连接的源极。
4.根据权利要求3所述的光检测装置,其中,
要提供给所述第一缓冲电路的电源电压高于所述第一电源节点处的电源电压。
5.根据权利要求3所述的光检测装置,其中,
要提供给所述第一缓冲电路的电源电压与所述第一电源节点处的电源电压相同。
6.根据权利要求3所述的光检测装置,其中,
所述第一比较电路还包括:
第二晶体管,其具有:漏极、与所述第一晶体管的所述漏极连接的栅极、以及与所述第一电源节点连接的源极;
第三晶体管,其具有:栅极、与所述第二晶体管的所述漏极连接的漏极、以及与所述第二电源节点连接的源极;和
第二开关,其被构造为通过变成导通状态将所述第三晶体管的所述栅极和所述第三晶体管的所述漏极彼此连接。
7.根据权利要求6所述的光检测装置,其中,
所述第一比较电路还包括:
第四晶体管,其具有:与所述第二晶体管的所述漏极连接的栅极、与所述第一电源节点连接的漏极、以及与所述第一晶体管的所述漏极连接的源极。
8.根据权利要求2所述的光检测装置,其中,
所述第一晶体管具有源极,
所述第一比较电路还包括:
第五晶体管,其具有栅极、漏极和源极;
第三电容器,其与所述第五晶体管的所述栅极连接;
电流源,其与所述第一晶体管的所述源极及所述第五晶体管的所述源极连接;和
第三开关,其被构造为通过变成导通状态将所述第五晶体管的所述栅极和所述第五晶体管的所述漏极彼此连接,
并且所述负载电路除了与所述第一晶体管的所述漏极连接以外,还与所述第五晶体管的所述漏极连接。
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