[发明专利]下层膜形成用材料、抗蚀剂下层膜及层叠体

权利要求书

1.一种下层膜形成用材料，其为在多层抗蚀剂工艺中使用的下层膜形成用材料，该下层膜形成用材料的固体成分满足以下(i)～(iii)，

(i)由以下数学式(1)定义的元素构成比率Re为1.5～2.8，

(ii)玻璃化转变温度为30～250℃，

(iii)包含具有下述通式(A)所示的结构单元的树脂以及具有下述通式(B)所示的结构单元的树脂，

数学式(1)中，

N_H为下层膜形成用材料的固体成分中的氢原子的数目，

N_C为下层膜形成用材料的固体成分中的碳原子的数目，

N_O为下层膜形成用材料的固体成分中的氧原子的数目，

通式(A)中，

Ar¹表示至少被羟基和/或缩水甘油基氧基取代的2价的芳香族基团，

R^a表示选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数7～10的芳烷基、碳原子数2～10的烷氧基烷基、碳原子数7～10的芳氧基烷基中的任一取代基，

通式(B)中，

R^c各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数7～10的芳烷基、碳原子数2～10的烷氧基烷基、碳原子数7～10的芳氧基烷基，

Ar¹¹表示2价的芳香族基团，所述2价的芳香族基团可以取代也可以未取代，

Ar¹²表示以下通式(B1)～(B3)所示结构的任一者，

通式(B1)～(B3)中，

R^d在存在多个的情况下，各自独立地表示选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～20的芳氧基、碳原子数2～10的烷氧基烷基、碳原子数7～20的芳氧基烷基、碳原子数2～20的烷氧基羰基、碳原子数3～10的二烷基氨基羰基、碳原子数7～20的芳氧基羰基、碳原子数8～20的烷基芳基氨基羰基、碳原子数3～20的烷氧基羰基烷基、碳原子数8～20的烷氧基羰基芳基、碳原子数8～20的芳氧基羰基烷基、碳原子数3～20的烷氧基烷基氧基羰基和碳原子数4～20的烷氧基羰基烷基氧基羰基中的任一者，

r1为1以上(6-q1)以下，

q1为0以上5以下，

r2为1以上(4-q2)以下，

q2为0以上3以下，

r3为0以上4以下，r4为0以上4以下，其中r3+r4为1以上，

q3为0以上4以下，q4为0以上4以下，其中q3+q4为7以下，

X表示单键或碳原子数1～3的亚烷基。

2.根据权利要求1所述的下层膜形成用材料，

该下层膜形成用材料的固体成分的由以下数学式(2)定义的元素构成比率Re’为1.5～2.8，

数学式(2)中，

N_H为下层膜形成用材料的固体成分中的氢原子的数目，

N_C为下层膜形成用材料的固体成分中的碳原子的数目，

N_O为下层膜形成用材料的固体成分中的氧原子的数目，

N_N为下层膜形成用材料的固体成分中的氮原子的数目。