[发明专利]一种用于双向存储、处理和传送电信息的系统和方法在审

专利信息
申请号: 202080010317.7 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113424260A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 米切尔·米勒 申请(专利权)人: 米切尔·米勒
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C11/4193
代理公司: 北京前审知识产权代理有限公司 11760 代理人: 张波涛;陈旭
地址: 加拿大不列颠哥伦比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 双向 存储 处理 传送 信息 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于三态双向存储器装置的方法,其中所述三态双向存储器装置包括多个三态双向存储器单元,所述三态双向存储器单元用于在写操作期间双向存储数据,并在读操作期间从双向单元读取数据,所述方法包括:

(a)带有可将信号施加于其上的栅电极以及导电路径由所述栅电极控制的两个端子的晶体管;

(b)由两个电极组成的静电存储器件或电容器;

(c)所述晶体管的一个端子连接到所述静电存储器件或电容器的所述电极之一;

(d)所述静电存储器件或电容器的所述第二电极连接到两个三态双向存储器单元位线中的一个;

(e)所述晶体管的栅电极连接到字线;

(f)所述两位线中的第二条连接到所述晶体管的第二端子;

(g)以及用于通过向所述字线施加特定的正或负信号并且通过在所述两位线之间施加特定的可互换电压差来双向地向所述三态双向存储器单元写入信息的装置,以通过所述晶体管以特定的偏置和极性对所述三态双向存储器单元充电,以使所述三态双向存储器单元在以正极性或正向偏置充电时呈现第一信息表示状态,以及在所述三态双向存储器单元上不保持电荷,以使所述三态双向存储器单元呈现第二信息表示状态,并且当所述单元以负极性或反向偏置充电时,呈现第三信息表示状态;

(h)并且其中施加到所述位线的所述两位线之间的可互换电压差在没有施加到所述字线以使所述晶体管导通所需的所述信号的情况下对于改变由所述双向静电存储器件或双向电容器上的电荷状态表示的信息是无效的;

(i)和用于通过将信号施加到所述字线来读取存储在双向三态存储器单元上的信息的装置,通过所述晶体管将所述双向三态静电存储器件或双向三态电容器放电到所述两个位线;

(j)和用于利用所述位线之一或两者通过电压和/或极性比较和逻辑电路来解释所述三态双向存储器单元的电荷状态和极性的装置。

2.一种用于三态双向存储器装置的方法,所述三态双向存储器装置包括多个三态双向存储器单元,所述三态双向存储器单元用于在写操作期间双向地存储数据,并且在读操作期间从双向单元读取数据,所述方法包括:

(a)能够通过3种电荷状态存储信息的晶体管的配置,所述3种电荷状态为正向偏置或正极性的第一电流状态、无偏置或中性极性的第二电流状态、反向偏置或负极性的第三电流状态,进一步可识别为三态双向存储器单元;

(b)位线和位线驱动器;

(c)字线和字线驱动器;

(d)编码线和编码线驱动器;

(e)用于通过将特定信号施加到所述三态双向存储器单元的所述编码线以对一个或多个晶体管进行编码来双向地将信息写入所述三态双向存储器存储单元的装置,以第一特定偏置和极性对所述一个或多个晶体管进行编码,从而允许电流信号从较高电压电位流到较低电压电位,以使所述三态双向存储器单元在以正极性或正向偏置充电时呈现第一信息表示状态,或者在所述三态双向存储器单元上保持没有电荷,以使所述三态双向存储器单元呈现第二信息表示状态,或者将特定电信号施加到所述一个或多个晶体管的所述编码线,以第三特定偏置和极性对所述一个或多个晶体管充电,从而允许电流信号流到较低电压电位,反转所述电流,以使所述三态双向存储器单元在处于负极性或反向偏置时呈现第三信息表示状态;

(f)和用于通过利用电压、电阻和/或极性比较和或逻辑电路来读取和解释所述三态双向存储器单元的电荷状态和极性的装置;

(g)并且其中来自所述位线和所述字线的电压信号在不存在使所述一个或多个晶体管导通所需的从所述编码线施加的所述信号的情况下对改变由所述三态双向存储器单元上的电荷状态表示的信息是无效的;

(h)双向三态存储器单元,其中具有用于通过将信号施加到所述字线并通过解释所述位线上的电压状态或电压状态变化来读取存储在所述单元上的信息的装置;

(i)比较电路,其具有用于利用所述位线通过所述比较电路的电压和/或电流和/或极性比较来解释所述三态双向存储器单元的电荷状态和极性的装置;

(j)用于所述逻辑电路解释所述三态双向存储器单元上的所述电荷状态的装置,以便可用于处理单个信息位或多个信息位。

3.如权利要求1和2所述的方法,还包括字线驱动器,所述字线驱动器被配置为通过解码地址来激活字线。

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