[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备在审

专利信息
申请号: 202080009798.X 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN113302745A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 镰田太介;久保田大介 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L51/42;H01L31/10;H01L31/12;H05B33/12;H01L51/50;H05B33/22;G02B5/20;G09F9/30;G09F9/33;H01L27/146;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张桂霞;梅黎
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置 显示 模块 电子设备
【说明书】:

提供一种具有光检测功能的显示装置。提供一种方便性高的显示装置。本发明的一个方式是一种在显示部包括受光元件、第一发光元件及第二发光元件的显示装置。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。第一发光元件包括第二像素电极、第一发光层及公共电极。第二发光元件包括第三像素电极、第二发光层及公共电极。活性层包括有机化合物。活性层位于第一像素电极与公共电极间。第一发光层位于第二像素电极与公共电极间。第二发光层位于第三像素电极与公共电极间。第一发光层还位于第一像素电极与公共电极间和第三像素电极与公共电极间中的一方或双方。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。本发明的一个方式涉及包括受光元件及发光元件的显示装置。

注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。

背景技术

近年来,显示装置被期待应用于各种用途。例如,在用于大型显示装置时,可以举出家用电视装置(也称为电视或电视接收器)、数字标牌(Digital Signage)或公共信息显示器(PID:Public Information Display)等。此外,作为便携式信息终端,对具备触摸面板的智能手机或平板终端已在进行研发。

作为显示装置,例如已开发了包括发光元件的发光装置。利用电致发光(Electroluminescence,以下称为EL)现象的发光元件(也记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化;能够高速地响应输入信号;以及能够使用直流低电压电源等而驱动的特征等,并已将其应用于显示装置。例如,专利文献1公开了使用有机EL元件的具有柔性的发光装置。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有光检测功能的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有多功能的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种开口率高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种分辨率高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。

本发明的一个方式的目的之一是提高具有光检测功能的显示装置的成品率。本发明的一个方式的目的之一是减少具有光检测功能的显示装置的工序数。本发明的一个方式的目的之一是降低具有光检测功能的显示装置的制造成本。

注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。

解决技术问题的手段

本发明的一个方式的显示装置在显示部包括受光元件、第一发光元件及第二发光元件。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。第一发光元件包括第二像素电极、第一发光层及公共电极。第二发光元件包括第三像素电极、第二发光层及公共电极。活性层包括有机化合物。活性层位于第一像素电极与公共电极间。第一发光层位于第二像素电极与公共电极间。第二发光层位于第三像素电极与公共电极间。第一发光层还位于第一像素电极与公共电极间和第三像素电极与公共电极间中的一方或双方。

本发明的一个方式的显示装置在显示部包括受光元件及第一发光元件。受光元件包括第一像素电极、活性层、第一发光层及公共电极。第一发光元件包括第二像素电极、第一发光层及公共电极。活性层包括有机化合物。活性层位于第一像素电极与公共电极间。第一发光层位于第一像素电极与公共电极间以及第二像素电极与公共电极间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080009798.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top