[发明专利]具有不同RA TMR膜的磁传感器阵列在审
| 申请号： | 202080006966.X | 申请日： | 2020-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113196075A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郑元凯;C·凯撒;刁治涛;胡志清;钱震中;王勇鸿;万渡江;周荣辉;毛明;姜明;D·毛里 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 不同 ra tmr 传感器 阵列 | ||
1.一种隧道磁阻(TMR)传感器装置，包括：
第一电阻器，所述第一电阻器包括具有第一电阻面积的第一多个TMR结构；和
第二电阻器，所述第二电阻器包括具有第二电阻面积的第二多个TMR结构，其中所述第一电阻面积大于所述第二电阻面积。
2.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
3.根据权利要求2所述的TMR传感器装置，其中所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
4.根据权利要求3所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构不同于所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构。
5.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，还包括：
第三电阻器，所述第三电阻器包括具有第三电阻面积的第三多个TMR结构；和
第四电阻器，所述第四电阻器包括具有第四电阻面积的第四多个TMR结构。
6.根据权利要求5所述的TMR传感器装置，其中所述第三电阻面积大于所述第四电阻面积。
7.根据权利要求6所述的TMR传感器装置，其中所述第三电阻面积等于所述第一电阻面积。
8.根据权利要求7所述的TMR传感器装置，其中所述第四电阻面积等于所述第二电阻面积。
9.根据权利要求8所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
10.根据权利要求9所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
11.根据权利要求10所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构中的所述TMR结构与所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构相同。
12.根据权利要求11所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构中的所述TMR结构与所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构相同。
13.一种TMR传感器装置，包括：
多个电阻器，所述多个电阻器各自包含多个TMR结构，其中所述多个电阻器中的至少两个电阻器包含不同电阻面积，并且其中所述至少两个电阻器的所述TMR结构不同。
14.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中所述多个电阻器具有相同数量的TMR结构。
15.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中所述TMR传感器装置具有小于0Oe的偏置点。
16.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中至少一个TMR结构包含合成反铁磁结构。
17.根据权利要求16所述的TMR传感器装置，其中包含所述合成反铁磁结构的TMR结构多于不包含所述合成反铁磁结构的TMR结构。
18.一种制造TMR传感器装置的方法，所述方法包括：形成第一电阻器，所述第一电阻器包括第一多个TMR结构和第一电阻面积；
形成第二电阻器，所述第二电阻器包括第二多个TMR结构和第二电阻面积；
形成第三电阻器，所述第三电阻器包括所述第一多个TMR结构和所述第一电阻面积；和
形成第四电阻器，所述第四电阻器包括所述第二多个TMR结构和所述第二电阻面积，其中所述第一多个TMR结构不同于所述第二多个TMR结构。
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