[发明专利]热固性树脂膜、第一保护膜形成用片、套件、及带第一保护膜的工件加工物的制造方法

说明书

本发明为一种热固性树脂膜，其为通过贴附于工件的具有凸状电极的面上并使其热固化从而用于在所述面上形成第一保护膜的热固性树脂膜，将所述热固性树脂膜贴附在厚度为35μm、直径为8英寸的圆形铜箔上，在平坦的状态下使所述铜箔朝下，使所述热固性树脂膜热固化并自然冷却后的、整个圆周的最大翘曲量为20mm以下。

技术领域

本发明涉及热固性树脂膜、第一保护膜形成用片、套件及带第一保护膜的工件加工物的制造方法。

本申请基于2019年3月27日于日本提出申请的日本特愿2019-061707号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

至今为止，将用于MPU或门阵列等的多引脚LSI封装安装于印刷布线基板时，采用倒装芯片(Flip chip)安装方法，该安装方法中，使用具备凸状电极(例如，凸点(bump)、小柱等)的工件(例如，半导体晶圆等)，通过所谓的倒装方式，使工件加工物(例如，作为半导体晶圆分割物的半导体芯片等)中的凸状电极与基板上相对应的端子部相对、接触，进行熔融/扩散接合。

在采用该安装方法时，以保护工件的电路面及凸状电极为目的，有时将固化性树脂膜贴附于凸状电极的表面和工件的电路面，并使该膜固化，从而在这些面上形成保护膜。

另外，在本说明书中，有时将凸状电极的表面与工件或工件加工物的电路面的组合称为“凸状电极形成面”。

固化性树脂膜通常以经加热而软化的状态贴附在工件的凸状电极形成面上。由此，凸状电极的包括顶部的上部贯穿固化性树脂膜，并从固化性树脂膜中突出。另一方面，固化性树脂膜以覆盖工件的凸状电极的方式在凸状电极之间漫延，与电路面密合，且同时覆盖凸状电极的表面、特别是电路面附近部位的表面，从而填埋凸状电极。然后，通过进一步固化固化性树脂膜，进而覆盖工件的电路面和凸状电极的电路面附近部位的表面，形成保护这些区域的保护膜(在本说明书中，有时称为“第一保护膜”)。

在使用半导体晶圆时，该安装方法中所使用的半导体芯片例如可通过对电路面上形成有凸状电极的半导体晶圆的与所述电路面为相反侧的面进行研磨，并切割、分割而获得。

在这样的获得半导体芯片的过程中，通常以保护半导体晶圆的电路面以及凸状电极为目的，将固化性树脂膜贴附于凸状电极形成面，并使该固化性树脂膜固化，从而在凸状电极形成面上形成第一保护膜。有时将这里获得的半导体晶圆称为“带第一保护膜的半导体晶圆”。

进一步，带第一保护膜的半导体晶圆被分割，最终形成在凸状电极形成面上具备保护膜的半导体芯片(在本说明书中，有时称为“带第一保护膜的半导体芯片”)(参考专利文献1)。

将这种在凸状电极形成面上具备第一保护膜的工件加工物(在本说明书中，有时称为“带第一保护膜的工件加工物”)进一步搭载于基板上而形成封装(package)，并进一步使用该封装构成目标装置。当将带第一保护膜的半导体芯片搭载在基板上时，可以使用由此得到的半导体封装构成目标半导体装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/078056号

发明内容

本发明要解决的技术问题

以专利文献1公开的方法为首，当使用以往的固化性树脂膜时，在将固化性树脂膜贴附于半导体晶圆的凸状电极形成面，然后使其热固化从而在半导体晶圆的凸状电极形成面上形成保护膜的过程中，有时在半导体晶圆上产生翘曲。如此，若在半导体晶圆上产生翘曲，则例如在利用真空装置对半导体晶圆进行抽吸时会发生漏气，因此在采用基于真空方式的搬运设备的半导体芯片的制造工序等中，存在对半导体晶圆的搬运带来障碍等问题。

因此，本发明的目的在于提供一种热固性树脂膜，其可形成用于保护晶圆形状的工件或工件加工物的凸状电极形成面的第一保护膜，将该热固性树脂膜贴附于工件的具有凸状电极的面并使其热固化而形成第一保护膜时，能够以抑制晶圆形状的工件的翘曲的状态良好地形成第一保护膜。

解决技术问题的技术手段