[发明专利]同步且局部地关断AMOLED面板的显示器下传感器区域中的子像素在审
申请号: | 202080005594.9 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112805774A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 崔相文;张先一;尹相永 | 申请(专利权)人: | 谷歌有限责任公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/3225;G09G3/3233;G09G3/3258 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李佳;周亚荣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同步 局部 amoled 面板 显示器 传感器 区域 中的 像素 | ||
描述了一种包括显示面板和传感器的装置。显示面板包括被配置为引导光通过显示面板的前侧的像素阵列。每个像素包括子像素,所述子像素中的每一个包括有机发光二极管(OLED)以及用于控制到OLED的电流的集成电路(IC)。传感器被布置在显示面板的后侧。传感器包括发射器,所述发射器被配置为发射通过显示面板的第一区域透射的电磁辐射。第一区域之外的像素阵列的子像素的IC包括第一IC布置。第一区域之内的像素阵列的子像素的IC除第一IC布置之外还包括晶体管。晶体管被配置为作为控制来自子像素的光的发射的控制开关进行操作。
技术领域
本公开涉及具有显示器下传感器(under-display sensor)的有机发光二极管(OLED)显示器,并且尤其涉及同步且局部地关断来自有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板的显示器下显示器区域中的子像素的光发射,以避免由从AMOLED面板之下的传感器发射器所发射的电磁辐射(例如,IR光)所导致的不期望的图像变化。
背景技术
移动设备的显示面板可以包括嵌入在屏幕的覆盖玻璃之下的传感器,诸如前置摄像头或脸部识别传感器。当这样的传感器执行相关联参数——诸如3D检测、接近度等——的感测时,该传感器的发射器通过显示器发射诸如红外波的电磁辐射。来自该传感器的电磁辐射与用于驱动AMOLED显示像素的像素电路之间的相互作用会在该显示器中导致不期望的效应,诸如由于EM辐射和像素电路之间的相互作用而导致的像素意外亮度增加。例如,布置在这样的显示面板中的像素的子像素的常规电路会由于像素电路中的晶体管开关的关断泄漏电流的增加而导致意外的亮度增加,而所述关断泄漏电流的增加则是由于晶体管结构中对电磁辐射的吸收而导致。这样的亮度增加会不期望地导致由于增加的亮度而导致的图像失真。因为来自子像素的光中的小部分会被显示面板内部结构反射回去,并且成为针对传感器的噪声,所以在传感器通过显示面板捕捉信号(诸如可见光和红外线)时,它们的性能也会被显示器子像素的照明所影响。
发明内容
本公开涉及协同传感器的操作同步且局部地关断有机发光二极管(OLED)面板的显示器下传感器区域中的子像素。子像素的这种同步且局部的关断可以减少(例如,避免)由于OLED面板的传感器发射器所发射的电磁辐射所导致的不期望的明度变化。
在一个方面,描述了一种装置,其包括显示面板和传感器。该显示面板包括像素阵列,其被配置为引导光通过该显示面板的前侧。每个像素包括一个或多个子像素。每个子像素包括有机发光二极管(OLED)以及用于控制到该OLED的电流的集成电路。该传感器被布置在该显示面板的后侧。后侧与前侧相反。该传感器包括发射器,其被配置为发射通过该显示面板的第一区域透射的电磁(EM)辐射。在该显示面板的该第一区域之外的像素阵列的一个或多个子像素的集成电路包括第一集成电路布置。该像素阵列在该显示面板的该第一区域之内的一个或多个子像素的集成电路除该第一集成电路布置之外还包括晶体管。该晶体管被配置为作为控制来自子像素的光的发射的控制开关进行操作。
在一些变型中,可以附加地单独地或者以任何可行的组合来实施以下的一种或多种。该晶体管被连接在向该像素阵列在该第一区域内的一个或多个子像素的子像素电路供应电流的电源与相对应子像素的OLED之间。该控制开关的栅极连接至控制器件,所述控制器件被配置为将来自子像素的光的发射与来自传感器的EM辐射的发射进行同步,以减少由于该子像素的集成电路对EM辐射的吸收所导致的来自该子像素的不期望的光发射。所同步的发射防止了该像素阵列在特定区域内的至少一个子像素的异常变亮。该控制器件被配置为将来自该显示面板的该第一区域中的多个子像素的光的发射与来自该传感器的EM辐射的发射进行同步,以减少由于该多个子像素的集成电路对EM辐射的吸收所导致的来自该子像素的不期望的光发射。
该第一集成电路布置是七个晶体管、一个电容器的布置。
在另一个方面,描述了一种包括上文所提到的装置的移动设备。
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