[发明专利]错误恢复方法、使用该方法的微控制器单元以及包括微控制器单元的电池设备在审
| 申请号: | 202080005416.6 | 申请日: | 2020-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN112771503A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 李镐俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
| 主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G06F11/16;G06F3/06 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆森;戚传江 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 错误 恢复 方法 使用 控制器 单元 以及 包括 电池 设备 | ||
1.一种包括闪存的微控制器单元(MCU),
其中,当所述MCU被通电时,所述闪存确定应用的密钥值,并且,当所述应用的所述密钥值无效时,所述闪存进入启用重新编程的模式。
2.根据权利要求1所述的MCU,其中,所述闪存包括闪存引导加载程序、应用块和应用密钥块,
所述闪存引导加载程序在所述MCU被通电时确定所述应用密钥块中的应用密钥值,以及
当所述应用密钥的密钥值无效时,所述闪存进入闪存引导加载程序模式。
3.根据权利要求2所述的MCU,其中,所述应用块在所述闪存引导加载程序模式下对所接收的应用数据进行重新编程。
4.根据权利要求3所述的MCU,其中,所述应用密钥块在所述重新编程完成之后写入有效的应用密钥值。
5.根据权利要求1所述的MCU,其中,所述闪存在接收到重新编程请求时,擦除与所述重新编程请求相对应的应用的密钥值,并进入所述模式。
6.根据权利要求5所述的MCU,其中,所述闪存在所述模式下对所接收的应用数据进行重新编程并写入应用密钥值。
7.一种微控制器单元(MCU)的错误恢复方法,所述微控制器单元(MCU)包括闪存,所述闪存包括闪存引导加载程序、应用块和应用密钥块,所述方法包括:
当所述MCU被通电时,由所述闪存引导加载程序确定在所述应用密钥块中的应用密钥值;以及,
当在所述确定中所述应用密钥值无效时,停留在所述闪存引导加载程序中以启用重新编程。
8.根据权利要求7所述的MCU的错误恢复方法,进一步包括:
对所接收的应用数据进行重新编程;以及
在所述重新编程完成之后,写入应用密钥值。
9.根据权利要求7所述的MCU的错误恢复方法,进一步包括:
在所述确定中,当所述应用密钥值有效时,执行对应应用;
在执行所述对应应用期间接收重新编程请求;以及
当接收所述重新编程请求时,擦除所述对应应用的密钥值。
10.根据权利要求9所述的MCU的错误恢复方法,其中,在擦除所述应用密钥值之后,由所述闪存引导加载程序根据所述应用密钥块中的所述应用密钥值的所述确定来执行所述错误恢复方法。
11.一种电池设备,包括:
电池单体组件,所述电池单体组件包括电连接的多个电池单体;
微控制器单元(MCU),所述微控制器单元(MCU)包括存储用于电池管理的应用的闪存;以及
电池管理系统,所述电池管理系统根据由所述MCU执行的应用来执行电池管理,
其中,当所述MCU被通电时,所述闪存确定应用的密钥值,并且当所述应用的所述密钥值无效时,所述闪存进入启用重新编程的模式。
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