[发明专利]流动池

权利要求书

1.一种流动池，包括：

基底，所述基底包括：

在所述基底的表面中界定的纳米凹陷部；和

分隔所述纳米凹陷部的间隙区域；和

疏水性材料层，所述疏水性材料层i)具有与所述间隙区域至少基本上共面的表面，以及ii)被定位成围绕所述纳米凹陷部的相应子集界定疏水性屏障。

2.根据权利要求1所述的流动池，其中：

所述基底还包括围绕所述纳米凹陷部的所述相应子集的屏障间隙；并且

所述疏水性材料层被界定在所述屏障间隙上，并且具有小于约2μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的流动池，其中：

所述基底还包括围绕所述纳米凹陷部的所述相应子集中的每一个的屏障凹陷部；并且

所述疏水性材料层被定位在所述屏障凹陷部中。

4.根据权利要求1、2或3中任一项所述的流动池，其中所述疏水性材料层具有在从约10nm至约1μm的范围内的厚度。

5.根据权利要求1、2、3或4中任一项所述的流动池，其中所述疏水性材料选自由氟化聚合物、全氟化聚合物、硅聚合物、硅烷及其混合物组成的组。

6.根据权利要求1、2、3、4或5中任一项所述的流动池，还包括：

在所述纳米凹陷部中的聚合物层；和

附接至所述聚合物层的引物。

7.一种方法，包括：

在图案化的基底上施加疏水性材料，所述图案化的基底包括：

在所述图案化的基底的表面中界定的纳米凹陷部；和

分隔所述纳米凹陷部的间隙区域；

从而i)在所述纳米凹陷部中和ii)在所述间隙区域上形成疏水性材料层，其中所述间隙区域上的所述疏水性材料层具有小于约2μm的厚度；

在所述疏水性材料层的第一部分上施加掩模材料，以围绕所述纳米凹陷部和所述间隙区域的相应子集界定疏水性屏障的图案，由此所述疏水性材料层的第二部分在所述相应的子集处被暴露；

移除所述疏水性材料层的所述第二部分，从而暴露所述纳米凹陷部和所述间隙区域的所述相应子集；

将凝胶材料附接至所述相应子集的所述纳米凹陷部；和

从所述疏水性材料层的所述第一部分移除所述掩模材料以露出所述疏水性屏障。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述图案化的基底还包括围绕所述纳米凹陷部和所述间隙区域的所述相应子集的屏障间隙；并且

所述疏水性屏障形成在所述屏障间隙上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述疏水性屏障形成在被定位在所述纳米凹陷部和所述间隙区域的所述相应子集之间的一些所述纳米凹陷部中以及一些所述间隙区域上。

10.根据权利要求7、8或9中任一项所述的方法，其中：

所述凝胶材料的所述附接包括：

将所述相应子集的所述纳米凹陷部和所述间隙区域硅烷化；和

将所述凝胶材料沉积在所述相应子集的所述纳米凹陷部和所述间隙区域上以及所述掩模材料上；和

所述方法还包括从所述掩模材料和所述相应子集的所述间隙区域移除所述凝胶材料。

11.根据权利要求7、8、9或10中任一项所述的方法，其中所述疏水性材料选自由氟化聚合物、全氟化聚合物、硅聚合物及其混合物组成的组。

12.根据权利要求7、8、9、10或11中任一项所述的方法，其中，在施加所述疏水性材料之前，所述方法还包括通过图案化未图案化的支撑物以形成所述纳米凹陷部来形成所述图案化的基底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述图案化包括蚀刻、纳米压印光刻或其组合。