[发明专利]用于Xtacking架构的焊盘引出结构

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

面对面地键合第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括第一衬底、在所述第一衬底的正面的绝缘层、在所述第一管芯的正面的延伸穿过所述绝缘层的第一部分的第一接触结构、以及在所述绝缘层的第二部分的正面的半导体层；

通过将所述第一衬底从所述第一管芯的背面移除来使所述第一接触结构从所述第一管芯的背面暴露；

从所述第一管芯的背面在所述绝缘层的所述第二部分中形成接触孔，所述接触孔使所述半导体层暴露；以及

在所述第一管芯的背面形成与所述第一接触结构导电地连接的第一焊盘引出结构和在所述接触孔上与所述半导体层导电地连接的第二焊盘引出结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一焊盘引出结构和所述第二焊盘引出结构还包括：

从所述第一管芯的背面在所述第一接触结构和所述半导体层之上形成第一导电层，所述第一导电层填充所述接触孔；以及

从所述第一管芯的背面对所述第一导电层进行图案化，以形成与所述第一接触结构导电地连接的所述第一焊盘引出结构和与所述半导体层导电地连接的所述第二焊盘引出结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一焊盘引出结构和所述第二焊盘引出结构还包括：

在所述绝缘层的背面形成第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层和所述第一接触结构通过界面接合并且与所述第一导电层和所述半导体层通过界面接合；以及

使用与所述第一导电层相同的光掩模来对所述第二导电层进行图案化。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一导电层由第一金属材料制成；并且

所述第二导电层由第二金属材料制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述第一导电层至少包括铝；并且

所述第二导电层至少包括钛。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一接触结构从所述第一管芯的背面暴露还包括：

在移除所述第一衬底之后移除蚀刻停止层，所述蚀刻停止层被夹在所述第一衬底与所述绝缘层之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一管芯还包括形成在所述半导体层的正面的存储单元；并且

所述第二管芯包括在第二衬底的正面的用于所述存储单元的外围电路。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，面对面地键合所述第一管芯和所述第二管芯还包括：

将与所述第一管芯中的所述第一接触结构连接的第一键合结构与连接到所述第二管芯中的所述外围电路中的输入/输出电路的第二键合结构键合。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二焊盘引出结构被配置为提供用于所述存储单元的阵列共源极。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二管芯包括被设置在所述第二管芯的正面的存储单元；并且

所述第一管芯还包括用于所述存储单元的外围电路。

11.一种半导体器件，包括：

面对面键合的第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括在所述第一管芯的背面的绝缘层、从所述第一管芯的正面延伸穿过所述绝缘层的第一部分的第一接触结构、在所述绝缘层的第二部分的正面的半导体层、以及形成在所述半导体层的正面的第一晶体管；

设置在所述第一管芯的背面的第一焊盘引出结构，所述第一焊盘引出结构与所述第一接触结构电耦合；以及

设置在所述第一管芯的背面的第二焊盘引出结构，所述第二焊盘引出结构经由接触孔与所述半导体层电耦合，所述第二焊盘引出结构填充所述接触孔。