[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

显示面板及显示装置，显示面板包括：衬底基板(1000)，硅半导体层(500)，硅半导体层(500)包括驱动晶体管(T1)的硅有源层和初始化晶体管(T6)的硅有源层；其中，硅有源层具有第一区(T6‑S)、第二区(T6‑D)以及位于第一区(T6‑S)和第二区(T6‑D)之间的第一沟道区(T1‑A、T6‑A)；第一绝缘层(710)，第一导电层(100)，第二绝缘层(720)，氧化物半导体层(600)，氧化物半导体层(600)包括氧化物晶体管(T8)的氧化物有源层；其中，氧化物有源层具有第三区(T8‑S)、第四区(T8‑D)以及位于第三区(T8‑S)和第四区(T8‑D)之间的第二沟道区(T8‑A)；同一子像素中，初始化晶体管(T6)的硅有源层的第二区(T6‑D)与稳压晶体管的氧化物有源层的第三区(T8‑S)电连接，稳压物晶体管的氧化物有源层的第四区(T8‑D)与驱动晶体管(T1)的栅极(CC2a)电连接。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示装置应用研究领域的热点之一。

发明内容

本发明实施例提供的显示面板，包括：

衬底基板，具有多个子像素；所述多个子像素中的至少一个包括像素电路；其中，所述像素电路包括驱动晶体管、初始化晶体管以及稳压晶体管；

硅半导体层，位于所述衬底基板上；所述硅半导体层包括所述驱动晶体管的硅有源层和所述初始化晶体管的硅有源层；其中，所述硅有源层具有第一区、第二区以及位于所述第一区和所述第二区之间的第一沟道区；

第一绝缘层，位于所述硅半导体层背离所述衬底基板一侧；

第一导电层，位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧；所述第一导电层包括所述驱动晶体管的栅极和所述初始化晶体管的栅极；

第二绝缘层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板一侧；

氧化物半导体层，位于所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧；所述氧化物半导体层包括所述稳压晶体管的氧化物有源层；其中，所述氧化物有源层具有第三区、第四区以及位于所述第三区和所述第四区之间的第二沟道区；

同一所述子像素中，所述初始化晶体管的硅有源层的第二区与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第三区电连接，所述稳压晶体管的氧化物有源层的第四区与所述驱动晶体管的栅极电连接。

可选地。在本发明实施例中，所述像素电路还包括阈值补偿晶体管；

所述硅半导体层还包括所述阈值补偿晶体管的硅有源层；

所述第一导电层还包括所述阈值补偿晶体管的栅极；

同一所述子像素中，所述阈值补偿晶体管的硅有源层的第二区与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第三区电连接，所述阈值补偿晶体管的硅有源层的第一区与所述驱动晶体管的硅有源层的第二区电连接。

可选地。在本发明实施例中，所述第一导电层还包括：相互间隔设置的多条第一扫描线、多条第二扫描线以及多条第三扫描线；其中，所述第一扫描线、所述第二扫描线以及所述第三扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列；

所述第一扫描线在所述衬底基板的正投影与所述初始化晶体管的硅有源层的第一沟道区在所述衬底基板的正投影具有第一交叠区域，且所述第一扫描线位于所述第一交叠区域中的部分为所述初始化晶体管的栅极；

所述第二扫描线在所述衬底基板的正投影与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第二沟道区在所述衬底基板的正投影具有第二交叠区域，且所述第二扫描线位于所述第二交叠区域中的部分为所述稳压晶体管的栅极；