[发明专利]声波换能器及其制备方法有效
| 申请号: | 202080000427.5 | 申请日: | 2020-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN113747981B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 陶永春;张宜驰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | B06B1/02 | 分类号: | B06B1/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 吴俣;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 声波 换能器 及其 制备 方法 | ||
1.一种声波换能器,其中,包括:衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个声波换能阵元,所述声波换能阵元包括:开关和声波换能单元;
所述开关的第一端与控制信号线电连接,所述开关的第二端与位于同一所述声波换能阵元内的所述声波换能单元电连接,所述开关配置为控制位于同一所述声波换能阵元内的所述声波换能单元与所述控制信号线之间的通断;
所述开关包括MEMS开关,所述MEMS开关包括:
第一支撑图形,位于衬底基板上且围成第一振动腔;
第一振膜,位于所述第一支撑图形远离所述衬底基板的一侧;
第一传输电极和第二传输电极,位于所述衬底基板靠近所述第一振膜的一侧,两者间隔设置且分别与所述开关的第一端、第二端电连接;
导电桥,位于所述第一振膜靠近所述衬底基板的一侧;
第一控制电极,位于所述第一振膜远离所述衬底基板的一侧;
第二控制电极,位于所述第一振动腔内,配置为加载驱动电压后将所述第一控制电极下拉,以带动所述第一振膜和所述导电桥进行运动,且使得所述导电桥与所述第一传输电极和所述第二传输电极相接触。
2.根据权利要求1所述的声波换能器,其中,所述声波换能器还包括外部信号处理电路;
全部所述开关的第一端通过所述控制信号线连接同一所述外部信号处理电路。
3.根据权利要求1所述的声波换能器,其中,所述第一传输电极、所述第二传输电极和所述第二控制电极同层设置。
4.根据权利要求1所述的声波换能器,其中,所述第二控制电极包括:沿第一方向排布的第一子电极和第二子电极,所述第一子电极和所述第二子电极间隔设置;
所述第一传输电极和第二传输电极沿第二方向排布,且位于所述第一子电极和所述第二子电极之间。
5.根据权利要求1所述的声波换能器,其中,所述衬底基板上对应所述第一传输电极和所述第二传输电极的位置分别设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔内分别设置有第一导电引线和第二导电引线;
所述第一导电引线的一端与所述第一传输电极连接,所述第一导电引线的另一端延伸至所述衬底基板远离所述第一传输电极的一侧表面;
所述第二导电引线的一端与所述第二传输电极连接,所述第二导电引线的另一端延伸至所述衬底基板远离所述第二传输电极的一侧表面。
6.根据权利要求1所述的声波换能器,其中,所述衬底基板上对应所述第二控制电极的位置设置有第三过孔,所述第三过孔内设置有第三导电引线,所述第三导电引线的一端与所述第二控制电极连接,所述第三导电引线的另一端延伸至所述衬底基板远离所述第二控制电极的一侧表面。
7.根据权利要求1-6中任一所述的声波换能器,其中,所述声波换能单元包括:
第二支撑图形,位于所述衬底基板上且围成第二振动腔;
第二振膜,位于所述第二支撑图形远离所述衬底基板的一侧;
顶电极,位于所述第二振膜远离所述衬底基板的一侧;
底电极,位于所述第二振动腔内,与所述开关的第二端电连接。
8.根据权利要求7所述的声波换能器,其中,所述第一支撑图形与第二支撑图形同层设置;
所述第一振膜与所述第二振膜同层设置;
所述第一传输电极、所述第二传输电极、所述第二控制电极和所述底电极同层设置;
所述第一控制电极与所述顶电极同层设置。
9.根据权利要求7所述的声波换能器,其中,所述衬底基板上对应所述底电极的位置设置有第四过孔,所述第四过孔内设置有第四导电引线,所述第四导电引线的一端与所述底电极连接,所述第四导电引线的另一端延伸至所述衬底基板远离所述底电极的一侧表面。
10.根据权利要求7所述的声波换能器,其中,所述声波换能单元还包括:至少一个凸起,所述凸起位于所述第二振膜靠近所述衬底基板的一侧表面。
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